[发明专利]一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件

权利要求书

1.一种太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池包括：

半导体衬底；

位于所述半导体衬底表面的第一掺杂结构和第二掺杂结构；

所述第一掺杂结构包括依次设置在所述半导体衬底表面的电介质层和掺杂多晶硅层；

所述第二掺杂结构包括第一硅掺杂层；

覆盖所述第一掺杂结构和第二掺杂结构的钝化层，穿过所述钝化层与所述掺杂多晶硅层形成电连接的电极。

2.根据权利要求1所述的电池，其特征在于，所述半导体衬底与所述电介质层之间还设有第二硅掺杂层，所述第二硅掺杂层的掺杂浓度由第二掺杂结构指向第一掺杂结构的方向逐渐减小；和/或第二硅掺杂层中掺杂浓度小于等于1e20cm^-3。

3.根据权利要求1所述的电池，其特征在于，所述掺杂多晶硅层包含第一掺杂元素，所述第一掺杂元素包括磷、硼和镓中的至少一种，所述掺杂多晶硅层中磷的浓度为1e20 cm^-3~1e21cm^-3；或所述掺杂多晶硅层中硼的浓度为8 e 19 cm^-3~1 e 20cm^-3；或所述掺杂多晶硅层中镓的浓度为8 e 19 cm^-3~1 e 20cm^-3。

4.根据权利要求1所述的电池，其特征在于，所述第一硅掺杂层包含第二掺杂元素，所述第二掺杂元素包括磷、硼和镓中的至少一种，所述第一硅掺杂层中磷的浓度为1e20 cm^-3~1e21cm^-3；或所述第一硅掺杂层中硼的浓度为8 e 18cm^-3~1 e 20cm^-3；或所述第一硅掺杂层中镓的浓度为8 e 18cm^-3~1 e 20cm^-3。

5.根据权利要求3 所述的电池，其特征在于，所述掺杂多晶硅层还包含第三掺杂元素，所述第三掺杂元素包括碳、氮和氧中的至少一种；和/或所述掺杂多晶硅层中第三掺杂元素的浓度为1e18cm^-3~1e19cm^-3。

6.根据权利要求1所述的电池，其特征在于，所述钝化层在所述第一掺杂结构表面的厚度与所述钝化层在所述第二掺杂结构表面的厚度的差值小于等于400nm。

7.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底表面形成第一掺杂结构和第二掺杂结构，其中，所述第一掺杂结构包括依次设置在半导体衬底表面的电介质层和掺杂多晶硅层，所述第二掺杂结构包括第一硅掺杂层；

在所述第一掺杂结构和第二掺杂结构表面形成钝化层；

在与所述第一掺杂结构对应的所述钝化层表面形成电极。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在所述半导体衬底表面形成第一掺杂结构和第二掺杂结构包括：

在所述半导体衬底表面依次形成电介质层和非晶硅层；

在所述非晶硅层表面进行局部激光处理形成与预设区域对应的多晶硅层；

去除非预设区域的所述电介质层和所述非晶硅层；

对所述第一掺杂结构和第二掺杂结构表面进行第一掺杂处理，使得所述多晶硅层转变为掺杂多晶硅层，非预设区域的半导体衬底表面形成所述第一硅掺杂层。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，对所述非晶硅层表面进行局部激光处理的同时还包括对所述非晶硅层进行第二掺杂处理的步骤；或在对所述非晶硅层表面进行局部激光处理之后还包括对所述非晶硅层进行第二掺杂处理的步骤；

所述第二掺杂处理的掺杂源元素包括碳源、氮源、氧源、磷源和硼源中的至少一种。

10.一种光伏组件，其特征在于，所述光伏组件包括盖板、封装材料层、太阳能电池串，所述太阳能电池串包括根据权利要求1~6任一项所述的太阳能电池或根据权利要求7~9任一项所述的制备方法制得的太阳能电池。