[发明专利]一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件

说明书

本申请涉及一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件，该太阳能电池包括：半导体衬底，位于半导体衬底表面的第一掺杂结构和第二掺杂结构；第一掺杂结构包括依次设置在半导体衬底表面的电介质层和掺杂多晶硅层；第二掺杂结构包括第一硅掺杂层；覆盖第一掺杂结构和第二掺杂结构的钝化层，穿过钝化层与所述掺杂多晶硅层形成电连接的电极。本申请太阳能电池通过设置不同类型的第一掺杂结构和第二掺杂结构，第一掺杂结构的区域允许多数载流子通过而阻碍少数载流子通过，具有较好的金属接触和较低的金属区复合，第二掺杂结构的硅掺杂层避免了第二掺杂结构形成载流子复合中心，降低太阳能电池对光的吸收，从而提高太阳能电池的转换效率。

技术领域

本申请涉及光伏电池技术领域，具体地讲，涉及一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件。

背景技术

随着太阳能电池技术的不断发展，金属接触区域的复合损失成为制约太阳能电池转换效率进一步提高的重要因素之一。为了提高太阳能电池的转换速率，常通过钝化接触来对太阳能电池进行钝化，以降低太阳能电池体内和表面的复合。常用的钝化接触电池有异质结（Heterojunction with Intrinsic Thin-layer，HIT）电池和隧穿氧化层钝化接触（Tunnel Oxide Passivated Contact，TOPCon）电池。然而，现有钝化接触电池的转换效率有待提高，且不易量产。

因此，为了降低太阳能电池的金属接触区域的复合损失，有必要研究一种可以量产且提高转换效率的太阳能电池。

发明内容

鉴于此，本申请提出一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件，该太阳能电池具有较好的金属接触和较低的金属区复合，同时光学吸收较少，能够有效提高太阳能电池的转化效率。

第一方面，本申请提供一种太阳能电池，所述太阳能电池包括：

半导体衬底，

位于所述半导体衬底表面的第一掺杂结构和第二掺杂结构；

所述第一掺杂结构包括依次设置在所述半导体衬底表面的电介质层和掺杂多晶硅层；

所述第二掺杂结构包括第一硅掺杂层；

覆盖所述第一掺杂结构和第二掺杂结构的钝化层，穿过所述钝化层与所述掺杂多晶硅层形成电连接的电极。

第二方面，本申请提供一种太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底表面形成第一掺杂结构和第二掺杂结构，其中，所述第一掺杂结构包括依次设置在半导体衬底表面的电介质层和掺杂多晶硅层，所述第二掺杂结构包括第一硅掺杂层；

在所述第一掺杂结构和第二掺杂结构表面形成钝化层；

在与所述第一掺杂结构对应的所述钝化层表面形成电极。

第三方面，本申请提供一种光伏组件，所述光伏组件包括盖板、封装材料层、太阳能电池串，所述太阳能电池串包括第一方面所述的太阳能电池或根据第二方面所述的制备方法制得的太阳能电池。

本申请的技术方案至少具有以下有益的效果：

本申请太阳能电池包括第一掺杂结构和第二掺杂结构，第一掺杂结构为电介质层和掺杂多晶硅层，电介质层和掺杂多晶硅层形成钝化接触结构，使得第一掺杂结构允许多数载流子通过而阻碍少数载流子通过，具有较好的金属接触和较低的金属区复合；第二掺杂结构包括第一硅掺杂层，第一硅掺杂层结构所处区域不会形成载流子复合中心，能够降低太阳能电池对光的吸收，本申请通过在半导体衬底表面设置不同类型的第一掺杂结构和第二掺杂结构，既能够具备较好的金属接触和较低的金属区复合，减少光学吸收，有效提高电池开路电压和短路电流，从而提高太阳能电池的转换效率。