[发明专利]Cu-Ti系铜合金板材、其制造方法和通电部件在审

专利信息
申请号: 202111268406.4 申请日: 2021-10-29
公开(公告)号: CN115637350A 公开(公告)日: 2023-01-24
发明(设计)人: 姜婉青;兵藤宏;须田久;渡边宏治;菅原章 申请(专利权)人: 同和金属技术有限公司
主分类号: C22C9/00 分类号: C22C9/00;C22F1/08;C21D8/02;B21B3/00
代理公司: 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 代理人: 张智慧
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: cu ti 铜合金 板材 制造 方法 通电 部件
【权利要求书】:

1.铜合金板材,其具有如下组成:以质量%计,为Ti:1.0~5.0%、Ag:0~0.30%、Al:0~1.0%、B:0~0.20%、Be:0~0.15%、Co:0~1.0%、Cr:0~1.0%、Fe:0~1.0%、Mg:0~1.0%、Mn:0~1.0%、Ni:0~1.5%、P:0~0.20%、S:0~0.20%、Si:0~1.0%、Sn:0~1.2%、V:0~1.0%、Zn:0~2.0%、Zr:0~1.0%,所述元素中Ag、Al、B、Be、Co、Cr、Fe、Mg、Mn、Ni、P、S、Si、Sn、V、Zn和Zr的合计含量为3.0%以下,余量由Cu和不可避免的杂质组成,在对于设置于与板面平行的观察面的测定区域的EBSD(电子束背散射衍射法)测定中,将与S方位{2 3 1}<3-4 6>的结晶方位差为10°以内的区域的面积设为AS、将与R方位{1 3 2}<4-2 1>的结晶方位差为10°以内的区域的面积设为AR、将与P方位{0 1 1}<1-1 1>的结晶方位差为10°以内的区域的面积设为AP、将与立方体方位{0 0 1}<1 0 0>的结晶方位差为10°以内的区域的面积设为AC时,根据下述(1)式的A值为0.5~20,

A=(AS+AR)/(AP+AC)…(1)。

2.根据权利要求1所述的铜合金板材,其中,在与板面平行的观察面的所述EBSD测定中,将结晶方位差超过5°的边界视为晶界时的采用面积分数法得到的平均晶粒直径为2.0~30.0μm。

3.根据权利要求1或2所述的铜合金板材,其中,采用按照日本展铜协会技术标准JCBAT307:2007的B.W.下的W弯曲试验得到的、不产生裂纹的最小弯曲半径MBR与板厚t之比MBR/t为2.5以下。

4.根据权利要求1~3中任一项所述的铜合金板材,其中,在基体(金属基底)中存在的粒径0.1μm以上的第二相粒子的个数密度为5×105个/mm2以下。

5.根据权利要求1~4中任一项所述的铜合金板材,其中,轧制方向的拉伸强度为850MPa以上。

6.根据权利要求1~5中任一项所述的铜合金板材,其中,板厚为0.02~0.50mm。

7.通电部件,其在材料中使用了根据权利要求1~6中任一项所述的铜合金板材。

8.根据权利要求1~6中任一项所述的铜合金板材的制造方法,其以下述顺序具有:

对热加工材料实施轧制率50~99%的冷轧的工序,其中,所述热加工材料具有如下组成:以质量%计,为Ti:1.0~5.0%、Ag:0~0.30%、Al:0~1.0%、B:0~0.20%、Be:0~0.15%、Co:0~1.0%、Cr:0~1.0%、Fe:0~1.0%、Mg:0~1.0%、Mn:0~1.0%、Ni:0~1.5%、P:0~0.20%、S:0~0.20%、Si:0~1.0%、Sn:0~1.2%、V:0~1.0%、Zn:0~2.0%、Zr:0~1.0%,所述元素中Ag、Al、B、Be、Co、Cr、Fe、Mg、Mn、Ni、P、S、Si、Sn、V、Zn和Zr的合计含量为3.0%以下,余量由Cu和不可避免的杂质组成;

实施了在380~620℃下保持1~20小时的第1热处理后,在按照下述(3)式的条件下实施在180~420℃下保持1~20小时的第2热处理的工序;

实施轧制率10~99%的冷轧的工序;

在板材的轧制方向上赋予12.5~20.0N/mm2的张力的状态下在加热到700~950℃的条件下实施固溶处理的工序;和

在300~600℃下保持1小时以上的条件下实施时效处理的工序,

T1≧T2+40℃…(3)

其中,T1为第1热处理的保持温度(℃),T2为第2热处理的保持温度(℃)。

9.根据权利要求8所述的铜合金板材的制造方法,其中,在所述第1热处理与所述第2热处理之间,实施轧制率70%以下的冷轧。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于同和金属技术有限公司,未经同和金属技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111268406.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top