[发明专利]衬底处理装置及衬底处理方法在审
申请号: | 202111269112.3 | 申请日: | 2021-10-29 |
公开(公告)号: | CN114446822A | 公开(公告)日: | 2022-05-06 |
发明(设计)人: | 高桥朋宏 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 陈甜甜 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 衬底 处理 装置 方法 | ||
1.一种衬底处理装置,具备:
衬底保持部,保持至少1个衬底;
处理槽,贮存用于浸渍被保持在所述衬底保持部的衬底的处理液;及
多个气泡产生管,通过对所述处理液供给气体而使所述处理液中产生气泡;且
所述多个气泡产生管之中,供给到外侧气泡产生管的气体的流量与供给到内侧气泡产生管的气体的流量不同,所述外侧气泡产生管位于浸渍在所述处理液中的所述衬底的外周区域下方,所述内侧气泡产生管位于所述衬底的中央区域下方。
2.根据权利要求1所述的衬底处理装置,其中所述多个气泡产生管相对于所述衬底的主面的法线方向平行地延伸。
3.根据权利要求1或2所述的衬底处理装置,其中所述多个气泡产生管之中,供给到外侧气泡产生管的气体的流量多于供给到内侧气泡产生管的气体的流量,所述外侧气泡产生管位于浸渍在所述处理液中的所述衬底的外周区域下方,所述内侧气泡产生管位于所述衬底的中央区域下方。
4.根据权利要求3所述的衬底处理装置,其还具备:
多个气体供给管,与所述多个气泡产生管连接;及
流量控制机构,控制在所述多个气体供给管中流动的气体的流量;且
所述流量控制机构以供给到所述外侧气泡产生管的气体的流量多于供给到所述内侧气泡产生管的气体的流量的方式,控制在所述多个气体供给管中流动的气体的流量。
5.根据权利要求4所述的衬底处理装置,其还具备压力计,所述压力计测定在与所述外侧气泡产生管连接的气体供给管中流动的气体的压力、及在与所述内侧气泡产生管连接的气体供给管中流动的气体的压力。
6.根据权利要求5所述的衬底处理装置,其还具备控制所述流量控制机构的控制部,所述控制部是
基于在与所述外侧气泡产生管连接的气体供给管中流动的气体的压力及在与所述内侧气泡产生管连接的气体供给管中流动的气体的压力,而控制在所述多个气体供给管中流动的气体的流量。
7.根据权利要求5所述的衬底处理装置,其还具备
控制所述流量控制机构的控制部、及
存储控制程序的存储部,且
所述控制部根据所述控制程序来控制所述流量控制机构。
8.根据权利要求3所述的衬底处理装置,其中所述衬底保持部保持沿列方向排成一列的衬底列中排列的多个衬底,
所述内侧气泡产生管包含:
内侧第1配管,配置在所述多个衬底中位于所述衬底列一侧的衬底各自的中央区域下方;及
内侧第2配管,与所述内侧第1配管分离,在位于所述衬底列另一侧的衬底各自的中央区域下方,与所述内侧第1配管排列成直线状;且
所述外侧气泡产生管包含:
外侧第1配管,配置在所述多个衬底中位于所述衬底列一侧的衬底各自的外周区域下方;及
外侧第2配管,与所述外侧第1配管分离,在位于所述衬底列另一侧的衬底各自的外周区域下方,与所述外侧第1配管排列成直线状。
9.根据权利要求1或2所述的衬底处理装置,其还具备配置在所述处理槽的液体喷出管。
10.根据权利要求9所述的衬底处理装置,其中所述液体喷出管以相对于所述衬底的主面的法线方向平行地延伸的方式配置。
11.根据权利要求1或2所述的衬底处理装置,其中所述处理液包含磷酸液。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造