[发明专利]衬底处理装置及衬底处理方法

说明书

本发明提供一种衬底处理装置及衬底处理方法。衬底处理装置(100)具备：衬底保持部(120)，保持衬底(W)；处理槽(110)，贮存用于浸渍被保持在衬底保持部(120)的衬底(W)的处理液(L)；及多个气泡产生管(136)，通过对处理液(L)供给气体而使处理液(L)中产生气泡。多个气泡产生管(136)之中，供给到外侧气泡产生管(136a、136d)的气体的流量多于供给到内侧气泡产生管(136b、136c)的气体的流量，所述外侧气泡产生管(136a、136d)位于浸渍在处理液(L)中的衬底(W)的外周区域下方，所述内侧气泡产生管(136b、136c)位于衬底(W)的中央区域下方。

技术领域

本发明涉及一种衬底处理装置及衬底处理方法。

背景技术

众所周知，半导体装置及液晶显示装置等的电子零件所使用的衬底是通过衬底处理装置来处理的。衬底能够通过浸渍于处理槽内的处理液中来进行处理。

近年来，随着形成在半导体衬底上的半导体元件的微细化及/或三维化，想要使衬底的处理变得均匀的需求不断增长。例如，具有三维构造的NAND元件具有设有立体凹凸构造的积层构造。在元件图案的凹凸构造的凹部滞留有处理液的情况下，凹部内的液体置换并不充分。因此，为了促进对包含凹部的衬底整体充分进行液体置换，有时会在浸渍于处理槽的衬底下方配置气泡产生管，从气泡产生器产生气泡以促进处理槽内的液体置换(例如，参照专利文献1、2)。

专利文献1的衬底处理装置中，在贮存有磷酸水溶液的处理槽中浸渍衬底来对衬底进行处理时，从在处理槽中浸渍的衬底下方所配置的气泡产生器中产生气泡。气泡产生器呈筒状，有多个喷出口(多个开口)。气泡产生器的一端连接着对气泡产生器供给水蒸气的气体供给管。气泡产生器通过将水蒸气从各喷出口向磷酸水溶液中吹出，而使磷酸水溶液中产生含水蒸气的气泡。

另外，专利文献2的衬底处理装置中，对多个衬底的排列方向上的不同区域喷出流体。由此，提高多个衬底间处理的均匀性。

[背景技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本专利特开2020-021822号公报

[专利文献2]日本专利特开2020-113621号公报

发明内容

[发明要解决的问题]

专利文献1所记载的衬底处理装置中，有时衬底会产生处理不均。另外，专利文献2所记载的衬底处理装置中，虽然能够提高多个衬底间处理的均匀性，但却存在无法均匀地处理衬底面内的情况。如果衬底的面内产生处理不均，半导体元件的特性就会产生变动，导致半导体元件的良率降低。例如，当蚀刻衬底的处理液内的硅浓度产生不均时，会对硅氮化物及硅氧化物的蚀刻选择性产生影响。此种影响在衬底呈立体凹凸形状时尤为明显。

本发明是鉴于所述问题来完成的，其目的在于提供一种能够抑制处理槽内的衬底面内处理不均的衬底处理装置及衬底处理方法。

[解决问题的技术手段]

根据本发明的一形态，衬底处理装置具备：衬底保持部，保持至少1个衬底；处理槽，贮存用于浸渍被保持在所述衬底保持部的衬底的处理液；及多个气泡产生管，通过对所述处理液供给气体而使所述处理液中产生气泡。所述多个气泡产生管之中，供给到外侧气泡产生管的气体的流量与供给到内侧气泡产生管的气体的流量不同，所述外侧气泡产生管位于浸渍在所述处理液中的所述衬底的外周区域下方，所述内侧气泡产生管位于所述衬底的中央区域下方。

在某实施方式中，所述多个气泡产生管相对于所述衬底的主面的法线方向平行地延伸。

在某实施方式中，所述多个气泡产生管之中，供给到外侧气泡产生管的气体的流量多于供给到内侧气泡产生管的气体的流量，所述外侧气泡产生管位于浸渍在所述处理液中的所述衬底的外周区域下方，所述内侧气泡产生管位于所述衬底的中央区域下方。