[发明专利]一种单孔坩埚制备工艺

权利要求书

1.一种单孔坩埚制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：

S1：按照百分比取碳化硅10-30％，沥青5-10％，焦油15-25％，石墨30-50％，黏土10-15％，腊石5-8％，碳酸钙0.6-1.1％，硫酸亚铁0.3-0.8％，硬脂酸0.2-0.5％，硅酸钠2-3％，聚乙烯醇0.8-3％混合均匀形成混合配料；

S2：将混合配料放入球磨机中进行研磨并放置适量蒸馏水进行混合形成浆料；

S3：将浆料倒入坩埚制作模具内进行振动压型，使得浆料硬化成型成为坩埚坯体；

S4：将坩埚坯体放入烧结室内进行烧结，形成坩埚成品。

2.根据权利要求1所述的一种单孔坩埚制备工艺，其特征在于，所述S4中，坩埚坯体的烧结温度为1800-2700℃。

3.根据权利要求1所述的一种单孔坩埚制备工艺，其特征在于，所述S4中的坩埚成品通过自然冷却至室温，并进行涂层处理。

4.根据权利要求1所述的一种单孔坩埚制备工艺，其特征在于，所述S4坩埚坯体的烧结时间为15h-20h。

5.根据权利要求1所述的一种单孔坩埚制备工艺，其特征在于，所述S2中，球磨机研磨时间为30h-40h，且研磨后的物料能过150目标准筛。

6.根据权利要求1所述的一种单孔坩埚制备工艺，其特征在于，所述S4中的坩埚成品为单孔坩埚，所述坩埚成品的锅口上设有内螺纹，方便与坩埚盖丝扣连接。

7.根据权利要求1所述的一种单孔坩埚制备工艺，其特征在于，所述S1中石墨采用结晶形的鳞片状和针状石墨。