[发明专利]一种大尺寸钇铁石榴石单晶的制备方法在审

专利信息
申请号: 202111271504.3 申请日: 2021-10-29
公开(公告)号: CN114150365A 公开(公告)日: 2022-03-08
发明(设计)人: 龙西法;杨晓明;苏榕冰;何超;王祖建 申请(专利权)人: 中国科学院福建物质结构研究所
主分类号: C30B9/12 分类号: C30B9/12;C30B29/28
代理公司: 北京元周律知识产权代理有限公司 11540 代理人: 孙小万
地址: 350002 福建*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 一种 尺寸 铁石 榴石单晶 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种大尺寸钇铁石榴石单晶的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:

1)获得含有钇氧化物、铁氧化物和复合助熔剂的混合原料;

所述复合助熔剂中包含Bi2O3

2)通过顶部籽晶法生长得到钇铁石榴石单晶材料。

2.根据权利要求1所述的大尺寸钇铁石榴石单晶的制备方法,其特征在于,所述步骤1)中根据化学式Y3Fe5O12所示的各元素的化学计量比称量钇氧化物、铁氧化物。

3.根据权利要求1所述的大尺寸钇铁石榴石单晶的制备方法,其特征在于,所述步骤1)中复合助熔剂包括Z1组分、Z2组分和Z3组分;所述Z1组分选自PbF2、PbO、Pb3O4中的至少一种;所述Z2组分选自B2O3和/或H3BO3;所述Z3组分为Bi2O3

优选地,复合助熔剂包括Z1组分4~6摩尔份、Z2组分2-3摩尔份、Z3组分1-2摩尔份。

4.根据权利要求1所述的大尺寸钇铁石榴石单晶的制备方法,其特征在于,所述步骤1)中复合助熔剂在混合原料中的质量分数为68.25~73.78%。

5.根据权利要求1所述的大尺寸钇铁石榴石单晶的制备方法,其特征在于,所述步骤2)具体包括如下步骤:

(a)将混合原料放入铂金坩埚中化料,得到熔体;

(b)将熔体降到过饱和温度,所述过饱和温度为990-1040℃;引入籽晶进行晶体生长;晶体生长过程中的晶转速率为20~30rpm,降温速率为0.25~2℃/天;

(c)晶体生长结束,以50~60℃/h降温速率退火至室温,得到所述钇铁石榴石单晶材料。

6.根据权利要求5所述的生长大尺寸钇铁石榴石单晶材料的方法,其特征在于,所述步骤(a)中化料的温度为1000~1100℃。

7.根据权利要求5所述的大尺寸钇铁石榴石单晶的制备方法,其特征在于,所述步骤(b)中引入籽晶的方式为将钇铁石榴石籽晶悬在熔体液面中央;

优选地,所述步骤(b)中籽晶方向为[110]或[211]方向。

8.根据权利要求5所述的大尺寸钇铁石榴石单晶的制备方法,其特征在于,所述步骤(b)中过饱和温度的确定方法为,以30~50℃/天的速率降温,降温过程以钇铁石榴石籽晶3~5天未熔、未生长的温度作为熔体的过饱和温度。

9.一种单晶材料,其特征在于,所述单晶材料为根据权利要求1-8中任一项所述的方法制备的钇铁石榴石单晶材料。

10.根据权利要求9所述的单晶材料在微波器件或磁光器件中的应用。

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