[发明专利]光刻胶喷嘴器件和光刻胶供应系统在审

专利信息
申请号: 202111271881.7 申请日: 2014-03-03
公开(公告)号: CN113917787A 公开(公告)日: 2022-01-11
发明(设计)人: 曾国书;陈有峰;陈彦羽 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: G03F7/16 分类号: G03F7/16;H01L21/67
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人: 章社杲;李伟
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 光刻 喷嘴 器件 供应 系统
【说明书】:

本发明提供了包括光刻胶喷嘴器件的光刻胶供应系统的实施例。该光刻胶喷嘴器件包括管,该管包括第一部分、连接至第一部分的曲线部分和连接至曲线部分的第二部分。光刻胶喷嘴器件还包括连接至第二部分的喷嘴。本发明还提供了光刻胶喷嘴器件及光刻胶供应系统。

本申请是于2014年03月03日提交的申请号为201410075233.8的名称为“光刻胶喷嘴器件和光刻胶供应系统”的发明专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域,更具体地,涉及光刻胶喷嘴器件及光刻胶供应系统。

背景技术

半导体器件用于各种电子应用中,诸如个人电脑、手机、数码相机和其他电子设备。通常,通过在半导体衬底上方依次沉积绝缘层或介电层、导电材料层和半导体材料层,以及使用光刻图案化各种材料层以在其上形成电路组件和元件来制造半导体器件。通常在单个半导体晶圆上制造许多集成电路,并且通过沿划线在集成电路之间进行切割从而分开晶圆上的单独的管芯。例如,通常以多芯片模块或其他类型的封装形式来分别地封装单独的管芯。

在光刻工艺中,光刻胶施加于晶圆。光刻胶是当其暴露在辐射下时形成图案的材料。作为半导体制造工艺中的步骤,在晶圆的表面上分布光刻胶薄层,且光刻胶被曝光为图案。现在这些图案具有非常精细的细节,且光刻胶中的一些问题会导致曝光的光刻胶中的不符合要求的图像。尽管用于光刻工艺的现有器件和方法通常足以用于其预期目的,但是它们不是在所有方面都完全符合要求。因此,期望提供用于晶圆工艺装置的光刻胶解决方案。

发明内容

为了解决现有技术中所存在的缺陷,根据本发明的一方面,提供了一种光刻胶喷嘴器件,包括:管,包括第一部分、连接至所述第一部分的曲线部分和连接至所述曲线部分的第二部分;以及喷嘴,连接至所述第二部分。

在该光刻胶喷嘴器件中,所述管由透光材料制成。

在该光刻胶喷嘴器件中,所述曲线部分具有直径和比所述直径长约2.5至约15倍的弧长度。

在该光刻胶喷嘴器件中,所述第一部分沿着水平方向延伸,而所述第二部分沿着垂直方向延伸。

在该光刻胶喷嘴器件中,所述曲线部分基本沿着圆形路径延伸。

在该光刻胶喷嘴器件中,所述曲线部分具有连接至所述第一部分的第一端和连接至所述第二部分的第二端,且在所述第一端处的所述圆形路径具有第一切线,且所述第一部分基本沿着所述第一切线延伸。

在该光刻胶喷嘴器件中,所述曲线部分具有连接至所述第一部分的第一端和连接至所述第二部分的第二端,且在所述第二端处的所述圆形路径具有第二切线,且所述第二部分基本沿着所述第二切线延伸。

根据本发明的另一方面,提供了一种用于涂覆装置的光刻胶喷嘴器件,包括:保持框架,具有接收槽,位于所述涂覆装置中;管,设置在所述保持框架上,包括第一部分、连接至所述第一部分且位于所述接收槽中的曲线部分和连接至所述曲线部分的第二部分;以及喷嘴,连接至所述第二部分。

在该光刻胶喷嘴器件中,所述保持框架包括第一壁和连接至所述第一壁的第二壁,其中,所述第一壁和所述第二壁形成所述接收槽,所述第一部分穿过所述第一壁,且所述第二部分穿过所述第二壁。

在该光刻胶喷嘴器件中,所述第一壁基本垂直于所述第二壁。

在该光刻胶喷嘴器件中,所述管由透光材料制成。

在该光刻胶喷嘴器件中,所述曲线部分具有直径和比所述直径长约2.5倍至约15倍的弧长度。

在该光刻胶喷嘴器件中,所述第一部分沿着水平方向延伸,而所述第二部分沿着垂直方向延伸。

在该光刻胶喷嘴器件中,所述曲线部分基本沿着圆形路径延伸。

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