[发明专利]一种半导体结构及其制备方法、三维存储器

权利要求书

1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述半导体结构的制备方法包括以下步骤：

提供衬底；

在所述衬底上依次形成层叠设置的N个堆叠结构；

对所述N个堆叠结构依次进行m次光刻和刻蚀，得到具有N个台阶的目标台阶结构；其中，N大于m，所述N与m满足预设关系。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述预设关系为：

N＝2^m-1。

3.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，每个所述堆叠结构包括自下而上层叠设置的第一牺牲层和第一绝缘层；

或，每个所述堆叠结构包括自下而上层叠设置的第一金属层和第一绝缘层。

4.根据权利要求3所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述目标台阶结构中的每个台阶至少由相应所述堆叠结构经过一次或多次光刻和刻蚀形成。

5.根据权利要求3所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，每个所述台阶至少包括第二牺牲层，所述第二牺牲层由相应所述堆叠结构中的第一牺牲层经过一次或多次光刻和刻蚀形成；

或，每个所述台阶至少包括相应所述堆叠结构中的第二金属层，所述第二金属层由相应所述堆叠结构中的第一金属层经过一次或多次光刻和刻蚀形成。

6.根据权利要求5所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，当每个所述台阶至少包括相应所述堆叠结构中的第二牺牲层时，所述半导体结构的制备方法还包括：

去除所述目标台阶结构中的所述第二牺牲层；

在所述第二牺牲层所在的区域形成第三金属层，得到新的目标台阶结构。

7.根据权利要求1-6任一项所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述述对所述N个堆叠结构依次进行m次光刻和刻蚀，得到具有N个台阶的目标台阶结构包括：

在所述N个堆叠结构上形成第一光刻图形，以所述第一光刻图形为掩膜，去除所述N个堆叠结构的预设区域的顶部绝缘层，暴露出所述N个堆叠结构的顶部绝缘层下的牺牲层或者金属层，得到第一台阶结构；其中，所述预设区域对应于所述目标台阶结构所在区域；

在所述第一台阶结构上形成第二光刻图形，以所述第二光刻图形为掩膜，按照自下而上的方向，对所述第一台阶结构进行刻蚀，得到第二台阶结构；

在所述第二台阶结构上形成第三光刻图形，以所述第三光刻图形为掩膜，按照自下而上的方向，对所述第二台阶结构进行刻蚀，得到第三台阶结构；其中，所述第三台阶结构中的台阶数为所述第二台阶结构中台阶数的2倍；

在第p台阶结构上形成第p+1光刻图形，以所述第p+1光刻图形为掩膜，按照自下而上的方向，对所述第p台阶结构进行刻蚀，得到第p+1台阶结构；其中，所述第p+1台阶结构中的台阶数为所述第p台阶结构中台阶数的2倍；

直至在第m-1台阶结构上形成第m光刻图形，以所述第m光刻图形为掩膜，按照自下而上的方向，对所述第m-1台阶结构进行刻蚀，得到所述目标台阶结构；其中，所述所述目标台阶结构中的台阶数为所述第m-1台阶结构中台阶数的2倍；

其中，p+1小于或等于m-1。

8.根据权利要求7所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第p+1光刻图形形成在所述第p台阶结构的每个台阶的目标区域上；其中，所述目标区域为所述台阶与上一个台阶相连接的部分区域。

9.一种半导体结构，其特征在于，根据权利要求1-8任一项所述的半导体结构的制备方法制备。

10.一种三维存储器，其特征在于，包括权利要求9所述的半导体结构。