[发明专利]一种椭圆纳米棒、发光二极管的制备方法及显示装置

说明书

本发明涉及椭圆纳米棒的制备领域，尤其是一种椭圆纳米棒、发光二极管的制备方法及显示装置。其中，椭圆纳米棒的制备方法包括如下步骤：提供第一基底；在所述第一基底的表面形成待图案化层，所待图案化层为单层结构或多层结构；在所述待图案化层的表面排布至少一个纳米结构，所述纳米结构的至少一个截面的形状为椭圆形；以所述纳米结构为第一掩膜版蚀刻所述待图案化层，以得所述椭圆纳米棒。本发明所提出的椭圆纳米棒的制备方法，仅需要在现有的工艺下制得待图案化层，再在所述待图案化层的表面设置纳米结构，利用所述纳米结构为掩膜版即可制得椭圆纳米棒，其优点在于步骤简单，易于实现，可以广泛应用于生产实践。

技术领域

本发明涉及椭圆纳米棒的制备领域，尤其是一种椭圆纳米棒、发光二极管的制备方法及显示装置。

背景技术

在现有的技术中，圆柱状纳米棒的制备较为常见，但是针对于椭圆纳米棒的制备却鲜有相关技术涉及到。因此，如何实现椭圆纳米棒的快速、高效制备是亟需解决的问题。此外，在一些特定的技术领域中，例如在LED领域，现有的LED芯片的形状大多呈长方体或圆柱体状，此类发光二极管所发射的光为非偏振光，当将其利用于LCD显示器中作为背光光源时，需要在液晶的两侧分别设置偏振片来实现出光的控制，采用这种方式会增加显示器的厚度，且光束经过两次偏振片的控制会导致其能量效率大幅度降低。而采用椭圆柱状的LED芯片可以发射偏振光，若将其广泛应用于显示器领域，仅需在液晶的一侧设置偏振片即可实现对出光的控制，一方面可以降低显示器的厚度，另一方面还可以减少出射光能量效率的降低，提升视觉效果；因此，如何简单高效地制备椭圆柱状的LED芯片也是亟需解决的技术问题。

发明内容

针对现有技术中的缺陷，本发明提供一种椭圆纳米棒的制备方法及发光二极管的制备方法，旨在克服现有技术的空白，为椭圆纳米棒的制备提供新思路，此外，本发明还提供了一种发光二极管的制备方法，采用上述制备方法可以制得发出偏振光的发光二极管，以及本发明还提供了一种显示装置，该装置通过采用可以发出偏振光的发光二极管，降低了显示装置的厚度，减少出射光能量效率的降低，提升了视觉效果。

为了实现上述目的，本发明的第一方面提供了一种椭圆纳米棒的制备方法，包括如下步骤：提供第一基底；在所述第一基底的表面形成待图案化层，所待图案化层为单层结构或多层结构；在所述待图案化层的表面排布至少一个纳米结构，所述纳米结构的至少一个截面的形状为椭圆形；以所述纳米结构为第一掩膜版蚀刻所述待图案化层，以得所述椭圆纳米棒。采用本发明所提出的椭圆纳米棒的制备方法，仅需要在现有的工艺下制得待图案化层，再在所述待图案化层的表面设置纳米结构，利用所述纳米结构为掩膜版即可制得椭圆纳米棒，其优点在于步骤简单，易于实现，可以广泛应用于生产实践。

可选地，所述在所述待图案化层的表面排布至少一个纳米结构包括：在所述待图案化层上设置二氧化硅溶胶；在所述二氧化硅溶胶的表面上设置聚合物层；在所述聚合物层上铺设带有至少一个圆柱形通孔的薄膜；拉伸所述薄膜，使所述圆柱形通孔变为椭圆形通孔；挤压所述薄膜，使所述聚合物层中的部分聚合物从所述椭圆形通孔中溢出；固化从所述椭圆形通孔中溢出的所述部分聚合物；以所述部分聚合物为初始掩膜版蚀刻所述二氧化硅溶胶，以形成所述纳米结构。本发明所提出的纳米结构的制备方法，通过采用挤压聚合物的方式形成初始掩膜版，再利用初始掩膜版蚀刻二氧化硅溶胶即可形成纳米结构，其优点在于通过前述方法所制得的纳米结构的形状可控，提高了椭圆纳米棒构筑的效率。

可选地，所述椭圆纳米棒的制备方法还包括：制备带有至少一个圆柱形通孔的所述薄膜。

可选地，所述制备带有至少一个圆柱形通孔的所述薄膜包括：提供第二基底；在所述第二基底上涂覆感光材料层；图案化所述感光材料层，以在所述感光材料层上形成多个阵列排布的圆柱形凸起，每两个所述圆柱形凸起之间存在间隙；在所述圆柱形凸起之间的所述间隙涂覆有机材料层；洗去所述感光材料层形成圆柱形通孔的薄膜。本发明在制备带有圆柱形通孔的薄膜时所采用的方法，其优点在于步骤简单。