[发明专利]一种掩模参数优化方法及装置在审
申请号: | 202111274722.2 | 申请日: | 2021-10-29 |
公开(公告)号: | CN114137792A | 公开(公告)日: | 2022-03-04 |
发明(设计)人: | 何建芳;韦亚一;粟雅娟;董立松;张利斌;陈睿;马乐 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00;G03F1/70;G03F7/20 |
代理公司: | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人: | 付婧 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 参数 优化 方法 装置 | ||
1.一种掩模参数优化方法,其特征在于,所述方法包括:
获取测试图形、光源参数、以及初始掩模参数,所述初始掩模参数包括掩模厚度和初始掩模侧壁角;
根据所述初始掩模参数中的初始掩模侧壁角,生成多组候选掩模参数;所述多组候选掩模参数包括的不同的掩模侧壁角和相同的掩模厚度;
基于所述测试图形和所述光源参数,得到每组候选掩模参数的成像对比度;
根据所述成像对比度,从多组候选掩模参数中选取最优掩模侧壁角。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述根据所述初始掩模参数中的初始掩模侧壁角,生成多组候选掩模参数,包括:
从所述初始掩模侧壁角开始,每隔预设步长生成一个掩模侧壁角,直至生成的掩模侧壁角大于预设侧壁角时停止;
将生成的每个掩模侧壁角与所述掩模厚度组成一组候选掩模参数。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述基于所述测试图形和所述光源参数,得到每组候选掩模参数的成像对比度,包括:
针对每组候选掩模参数,在该组候选掩模参数条件下,使用所述测试图形和所述光源参数,获得在基底层上涂覆的光刻胶中所成空间像的最大光强度和最小光强度;
根据所述最大光强度和最小光强度确定该组候选掩模参数的成像对比度。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述根据所述成像对比度,从多组候选掩模参数中选取最优掩模侧壁角,包括:
将所述成像对比度的最大值对应的候选掩模参数中的掩模侧壁角确定为最优掩模侧壁角。
5.一种掩模参数优化装置,其特征在于,所述装置包括:
获取模块,用于获取测试图形、光源参数、以及初始掩模参数,所述初始掩模参数包括掩模厚度和初始掩模侧壁角;
候选参数生成模块,用于根据所述初始掩模参数中的初始掩模侧壁角,生成多组候选掩模参数;所述多组候选掩模参数包括的不同的掩模侧壁角和相同的掩模厚度;
模拟模块,用于基于所述测试图形和所述光源参数,得到每组候选掩模参数的成像对比度;
最优值选取模块,用于根据所述成像对比度,从多组候选掩模参数中选取最优掩模侧壁角。
6.根据权利要求5所述的装置,其特征在于,所述候选参数生成模块,具体用于从所述初始掩模侧壁角开始,每隔预设步长生成一个掩模侧壁角,直至生成的掩模侧壁角大于预设侧壁角时停止;将生成的每个掩模侧壁角与所述掩模厚度组成一组候选掩模参数。
7.根据权利要求5所述的装置,其特征在于,所述模拟模块,具体用于针对每组候选掩模参数,在该组候选掩模参数条件下,使用所述测试图形和所述光源参数,获得在基底层上涂覆的光刻胶中所成空间像的最大光强度和最小光强度;根据所述最大光强度和最小光强度确定该组候选掩模参数的成像对比度。
8.根据权利要求5所述的装置,其特征在于,所述最优值选取模块,具体用于将所述成像对比度的最大值对应的候选掩模参数中的掩模侧壁角确定为最优掩模侧壁角。
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