[发明专利]一种掩模参数优化方法及装置

说明书

本发明公开了一种掩模参数优化方法，方法包括：获取测试图形、光源参数、初始掩模参数，初始掩模参数包括掩模厚度和初始掩模侧壁角；根据初始掩模参数中的初始掩模侧壁角生成多组候选掩模参数；多组候选掩模参数包括的不同的掩模侧壁角和相同的掩模厚度；基于测试图形和光源参数得到每组候选掩模参数的成像对比度；根据成像对比度从多组候选掩模参数中选取最优掩模侧壁角。通过生成多组包括不同掩模侧壁角和相同掩模厚度的掩模参数，并对这些组掩模参数分别进行模拟，以得到每组掩模参数的成像对比度，从而根据成像对比度找到最优掩模侧壁角。从而，通过对多层膜透镜结构的掩模参数进行优化，也可以显著改善成像对比度，并提升成像分辨力。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种掩模参数优化方法及装置。

背景技术

在半导体领域，传统光刻技术一般是通过不断减小曝光波长和增大数值孔径来实现更小特征尺寸图形的制备，但受到衍射极限的限制和制约，面临着难以突破的障碍。而表面等离子体可以利用特殊设计的金属薄膜耦合传输倏逝波，实现远小于波长量级的特征尺寸物体精细结构的成像，这为突破光学衍射极限，进行光场操控提供了可行方法。

目前，使用的是基于等离子体的金属-介质的多层膜透镜结构。提高成像分辨力，并且人们主要通过改善该多层膜透镜结构的结构参数，来使得该多层膜透镜结构的成像分辨力得到提高，以改善成像对比度。

然而，与该多层膜透镜结构相关的掩模参数优化方面没有相关研究。

发明内容

本发明的目的是针对上述现有技术的不足提出的一种掩模参数优化方法及装置，该目的是通过以下技术方案实现的。

本发明的第一方面提出了一种掩模参数优化方法，所述方法包括：

获取测试图形、光源参数、以及初始掩模参数，所述初始掩模参数包括掩模厚度和初始掩模侧壁角；

根据所述初始掩模参数中的初始掩模侧壁角，生成多组候选掩模参数；所述多组候选掩模参数包括的不同的掩模侧壁角和相同的掩模厚度；

基于所述测试图形和所述光源参数，得到每组候选掩模参数的成像对比度；

根据所述成像对比度，从多组候选掩模参数中选取最优掩模侧壁角。

优选的，所述根据所述初始掩模参数中的初始掩模侧壁角，生成多组候选掩模参数，包括：从所述初始掩模侧壁角开始，每隔预设步长生成一个掩模侧壁角，直至生成的掩模侧壁角大于预设侧壁角时停止；将生成的每个掩模侧壁角与所述掩模厚度组成一组候选掩模参数。

优选的，所述基于所述测试图形和所述光源参数，得到每组候选掩模参数的成像对比度，包括：针对每组候选掩模参数，在该组候选掩模参数条件下，使用所述测试图形和所述光源参数，获得在基底层上涂覆的光刻胶中所成空间像的最大光强度和最小光强度；根据所述最大光强度和最小光强度确定该组候选掩模参数的成像对比度。

优选的，所述根据所述成像对比度，从多组候选掩模参数中选取最优掩模侧壁角，包括：将所述成像对比度的最大值对应的候选掩模参数中的掩模侧壁角确定为最优掩模侧壁角。

本发明的第二方面提出了一种掩模参数优化装置，所述装置包括：

获取模块，用于获取测试图形、光源参数、以及初始掩模参数，所述初始掩模参数包括掩模厚度和初始掩模侧壁角；

候选参数生成模块，用于根据所述初始掩模参数中的初始掩模侧壁角，生成多组候选掩模参数；所述多组候选掩模参数包括的不同的掩模侧壁角和相同的掩模厚度；

模拟模块，用于基于所述测试图形和所述光源参数，得到每组候选掩模参数的成像对比度；

最优值选取模块，用于根据所述成像对比度，从多组候选掩模参数中选取最优掩模侧壁角。