[发明专利]光伏旁路模块的封装方法

权利要求书

1.一种光伏旁路模块的封装方法，所述光伏旁路模块的引线框架包括框架本体和多个阵列排布的框架单元，每个所述框架单元包括基岛、阳极引脚和阴极引脚，所述基岛设置于阳极引脚上，所述阳极引脚和阴极引脚均设置有T形引脚部，且所述引脚部上设置有沟槽，其特征在于，所述封装方法包括如下步骤：

提供引线框架、MOS芯片、IC芯片及电容；

上芯，将所述MOS芯片、IC芯片及电容固定在阳极引脚的基岛上；

键合，将所述MOS芯片、IC芯片及电容之间采用铜线或金线键合，将MOS芯片与阴极引脚之间采用铝带键合；

清洗，将焊有MOS芯片、IC芯片及电容的引线框架进行清洗；

塑封，采用塑封料对清洗后的引线框架进行封装，形成塑封体，并将阳极引脚和阴极引脚外漏；

上锡，将塑封后的引线框架进行电镀上锡；

切筋、测试印字及包装出货。

2.根据权利要求1所述的光伏旁路模块的封装方法，其特征在于：所述阳极引脚上的基岛处分为镀银区和粗化区，所述镀银区进行镀银处理，所述粗化区进行裸铜粗化处理，所述阳极引脚对应于基岛的背侧设置有麻点。

3.根据权利要求1或2所述的光伏旁路模块的封装方法，其特征在于：所述框架单元呈三排式排列。

4.根据权利要求1所述的光伏旁路模块的封装方法，其特征在于，将所述MOS芯片、IC芯片及电容固定在阳极引脚的基岛上的步骤包括：

采用软焊料工艺，将MOS芯片焊接在阳极引脚的基岛上；

采用点胶工艺，将IC芯片和电容焊接在阳极引脚的基岛上，并进行氮气烘烤固化。

5.根据权利要求4所述的光伏旁路模块的封装方法，其特征在于：所述软焊料的焊料层厚度为25～55um；所述点胶厚度为20～30um，烘烤温度为150～170℃，烘烤时间为60～90min。

6.根据权利要求1所述的光伏旁路模块的封装方法，其特征在于，所述键合步骤包括：

采用超声焊接工艺，将铜线或金线焊接在MOS芯片与IC芯片之间、MOS芯片与电容之间、IC芯片与电容之间，其中，所述电容表面含有镀金层；

采用超声焊接工艺，将铝带的一端与所述MOS芯片的源极键合，另一端与所述阴极引脚键合。

7.根据权利要求1所述的光伏旁路模块的封装方法，其特征在于：所述清洗步骤中，采用等离子清洗机对键合后的引线框架进行清洗。

8.根据权利要求1所述的光伏旁路模块的封装方法，其特征在于：所述塑封步骤中，还包括塑封后的固化处理，固化温度为175℃，固化时间为8h。

9.根据权利要求1所述的光伏旁路模块的封装方法，其特征在于：所述塑封步骤之后和上锡步骤之前，还包括筛选步骤，所述筛选步骤采用回流焊工艺进行质量筛选。

10.根据权利要求9所述的光伏旁路模块的封装方法，其特征在于：所述筛选步骤中，还包括通过冷热冲击试验进行冷热冲击测试。