[发明专利]光伏旁路模块的封装方法

说明书

本发明提供一种光伏旁路模块的封装方法，包括如下步骤：提供引线框架、MOS芯片、IC芯片及电容；上芯，将MOS芯片、IC芯片及电容固定在阳极引脚的基岛上；键合，将MOS芯片、IC芯片及电容之间采用铜线或金线键合，将MOS芯片与阴极引脚之间采用铝带键合；清洗；塑封；上锡；切筋、测试印字及包装出货。本发明通过多排式的框架单元可有效提高生产效率，降低生产成本；封装过程中，芯片之间及芯片与电容间采用铜线或金线键合，可以降低导通电阻20％～30％，提高焊点的可靠性；MOS芯片与阴极引脚之间采用铝带进行键合，可以降低导通电阻10％～20％，减少导通损耗，提高抗电流冲击能力；并且用较宽的铝带进行键合，可有效降低热阻20％～30％，提高导热能力。

技术领域

本发明属于半导体技术领域，特别是涉及一种光伏旁路模块的封装方法。

背景技术

光伏发电是将取之不尽用之不竭的光能转化为电能，纯净无污染的光能更符合我们这个时代的发展，但如何将更多的光能转化为电能以及如何避免转化的电能被损耗就成了避不开的难题。转化效率主要取决于太阳能电池板材料对光能转化为电能的效率，而电能损耗则受热斑效应影响，严重的热斑效应甚至会损坏整个太阳能电池组。虽然热斑效应不可避免，但是我们可以通过增加一个光伏旁路电路来最大程度的减小热斑效应的影响。

光伏旁路电路可以在太阳能电池组发生热斑效应时及时阻断反向电流，避免被遮蔽的太阳电池组发热，造成电能的损耗以及对电池本身的损坏。功耗大、容易失效是第一代PN结二极管和第二代肖特基二极管光伏旁路电路的通病，而第三代的MOS光伏旁路开关电路则利用了功率MOSFET低导通电阻、低漏电的特点来解决光伏旁路二极管的正向压降大、高温耐压低、漏电大的问题。然而，现有技术中MOS型光伏旁路模块在封装时散热效率较低，功耗大，往往容易失效，影响功率器件性能。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种光伏旁路模块的封装方法，用于解决现有技术中光伏旁路模块器件封装时散热效率低，功耗大，容易失效，影响功率器件性能的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种光伏旁路模块的封装方法，所述光伏旁路模块的引线框架100包括框架本体1和多个阵列排布的框架单元2，每个所述框架单元2包括基岛23、阳极引脚22和阴极引脚21，所述基岛23设置于阳极引脚22上，所述阳极引脚22和阴极引脚21均设置有T形引脚部24，且所述引脚部24上设置有沟槽241，所述封装方法包括如下步骤：

提供引线框架、MOS芯片、IC芯片及电容；

上芯，将所述MOS芯片、IC芯片及电容固定在阳极引脚的基岛上；

键合，将所述MOS芯片、IC芯片及电容之间采用铜线(或金线)键合，将MOS芯片与阴极引脚之间采用铝带键合；

清洗，将焊有MOS芯片、IC芯片及电容的引线框架进行清洗；

塑封，采用塑封料对清洗后的引线框架进行封装，形成塑封体，并将阳极引脚和阴极引脚外漏；

上锡，将塑封后的引线框架进行电镀上锡；

切筋、测试、印字及包装出货。

可选地，所述阳极引脚上的基岛处分为镀银区和粗化区，所述镀银区进行镀银处理，所述粗化区进行裸铜粗化处理，所述阳极引脚对应于基岛的背侧设置有麻点。

可选地，所述框架单元呈三排式排列。

可选地，将所述MOS芯片、IC芯片及电容固定在阳极引脚的基岛上的步骤包括：

采用软焊料工艺，将MOS芯片焊接在阳极引脚的基岛上；

采用点胶工艺，将IC芯片和电容焊接在阳极引脚的基岛上，并进行氮气烘烤固化。