[发明专利]一种锑化镓晶片的双面抛光方法及锑化镓双抛片有效
| 申请号： | 202111277261.4 | 申请日： | 2021-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN113894695B | 公开（公告）日： | 2022-12-30 |
| 发明（设计）人： | 唐林锋;宋向荣;周铁军;马金峰;刘火阳;廖和杰 | 申请（专利权）人： | 广东先导微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/08 | 分类号： | B24B37/08;B24B37/04;B24B37/005;B24B49/00;B24B49/16;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张柳 |
| 地址： | 511500 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 锑化镓 晶片 双面 抛光 方法 锑化镓双抛片 | ||
1.一种锑化镓晶片的双面抛光方法，包括以下步骤：
A）采用粗抛试剂对锑化镓晶片进行双面粗抛；
所述粗抛试剂包括硅溶胶抛光液、氧化剂、缓冲剂、抛光离子增强剂和水；所述粗抛试剂中，硅溶胶抛光液的含量为1500~1800 mL/60L，氧化剂的含量为1200~1300 g/60L，缓冲剂的含量为600~700 g/60L，抛光离子增强剂的含量为600~700 g/60L；
所述氧化剂为次氯酸锂或次氯酸钠；
B）将所述粗抛后的锑化镓晶片采用精抛试剂进行双面精抛，得到锑化镓双抛片；
所述精抛试剂包括硅溶胶抛光液、氧化剂、缓冲剂和水；
所述精抛试剂中，硅溶胶抛光液的含量为1000~1800 mL/60L，氧化剂的含量为1000~1500 g/60L，缓冲剂的含量为600~900 g/60L；
所述氧化剂为次氯酸锂或次氯酸钠。
2.根据权利要求1所述的双面抛光方法，其特征在于，步骤A）中，采用粗抛试剂对锑化镓晶片进行双面粗抛前，还包括：
将锑化镓晶片进行双面研磨，并按照厚度差≤10 µm进行分组。
3.根据权利要求1所述的双面抛光方法，其特征在于，步骤A）中，所述硅溶胶抛光液中，硅溶胶的粒径为20~200 nm；
所述硅溶胶抛光液的pH值为8~13。
4.根据权利要求1所述的双面抛光方法，其特征在于，步骤A）中，
所述缓冲剂为碳酸氢钠；
所述抛光离子增强剂包括KNO3、NaNO3或K2SO4。
5.根据权利要求1所述的双面抛光方法，其特征在于，步骤A）中，所述双面粗抛的压力为80~100 N，转速为15~20 rpm，流量为480~520 mL/min；
所述双面粗抛的时间为15~20 min；
所述双面粗抛采用聚氨酯抛光垫；
所述双面粗抛在9B双面抛光机中进行。
6.根据权利要求1所述的双面抛光方法，其特征在于，步骤B）中，所述硅溶胶抛光液中，硅溶胶的粒径为20~200 nm；
所述硅溶胶抛光液的pH值为8~13；
所述缓冲剂为碳酸氢钠。
7.根据权利要求1所述的双面抛光方法，其特征在于，步骤B）中，所述双面精抛的压力为120~150 N，转速为20~30 rpm，流量为680~720 mL/min；
所述双面精抛的时间为5~8 min；
所述双面精抛采用阻尼布抛光垫；
所述双面精抛在9B双面抛光机中进行。
8.权利要求1~7任意一项所述的双面抛光方法制备得到的锑化镓双抛片。
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