[发明专利]一种锑化镓晶片的双面抛光方法及锑化镓双抛片

说明书

本发明涉及半导体材料的加工技术领域，尤其涉及一种锑化镓晶片的双面抛光方法及锑化镓双抛片。所述锑化镓晶片的双面抛光方法包括以下步骤：A)采用粗抛试剂对锑化镓晶片进行双面粗抛；所述粗抛试剂包括硅溶胶抛光液、氧化剂、缓冲剂、抛光离子增强剂和水；B)将所述粗抛后的锑化镓晶片采用精抛试剂进行双面精抛，得到锑化镓双抛片；所述精抛试剂包括硅溶胶抛光液、氧化剂、缓冲剂和水。本发明提供的锑化镓晶片的双面抛光方法包括两步抛光：双面粗抛和双面精抛。通过采用特定的粗抛试剂和精抛试剂进行双面粗抛和双面精抛，最终制备的锑化镓双抛片平整度较高，粗糙度较低。

技术领域

本发明涉及半导体材料的加工技术领域，尤其涉及一种锑化镓晶片的双面抛光方法及锑化镓双抛片。

背景技术

锑化镓为直接带隙半导体材料，室温下禁带宽度为0.725eV，其晶格常数为0.6096nm，与一些超晶格晶格匹配度高，被广泛应用于激光器，探测器，高频器件，太阳电池等军事和民用领域。

随着信息产业的迅速发展，对锑化镓表面平整度提出了越来越高的要求。双面抛光技术是保证较高形状精度和表面精度的超精密加工方法，是决定锑化镓表面质量重要的加工步骤。

中国专利CN102554750A公开了一种锑化镓晶片双面抛光方法，其通过上蜡工艺先抛背面、清洗后再上蜡抛主面的方式进行双面抛光，该方法虽然实现了锑化镓晶片双面抛光的批量生产，但是上蜡和下片过程中的容易造成背面划伤且降低加工效率；同时，上蜡工艺易在抛光和清洗中对晶片造成污染。而锑化镓双抛片采用单面抛光加工会使得晶片平整度较差、粗糙度较高等。如果晶片的平整度水平较低，会影响晶片后续加工工艺，如蚀刻、键合等。因此，为了提高锑化镓晶片的平整度水平，有必要提供一种高平整度锑化镓晶片双面抛光工艺，增强锑化镓衬底质量。

发明内容

有鉴于此，本发明要解决的技术问题在于提供一种锑化镓晶片的双面抛光方法及锑化镓双抛片，本发明制备的锑化镓双抛片平整度较高，粗糙度较低。

本发明提供了一种锑化镓晶片的双面抛光方法，包括以下步骤：

A)采用粗抛试剂对锑化镓晶片进行双面粗抛；

所述粗抛试剂包括硅溶胶抛光液、氧化剂、缓冲剂、抛光离子增强剂和水；

B)将所述粗抛后的锑化镓晶片采用精抛试剂进行双面精抛，得到锑化镓双抛片；

所述精抛试剂包括硅溶胶抛光液、氧化剂、缓冲剂和水。

优选的，步骤A)中，采用粗抛试剂对锑化镓晶片进行双面粗抛前，还包括：

将锑化镓晶片进行双面研磨，并按照厚度差≤10μm进行分组。

优选的，步骤A)中，所述粗抛试剂中，硅溶胶抛光液的含量为1500～1800mL/60L，氧化剂的含量为1200～1300g/60L，缓冲剂的含量为600～700g/60L，抛光离子增强剂的含量为600～700g/60L。

优选的，步骤A)中，所述硅溶胶抛光液中，硅溶胶的粒径为20～200nm；

所述硅溶胶抛光液的pH值为8～13。

优选的，步骤A)中，所述氧化剂包括次氯酸锂或次氯酸钠；

所述缓冲剂为碳酸氢钠；

所述抛光离子增强剂包括KNO₃、NaNO₃或K₂SO₄。

优选的，步骤A)中，所述双面粗抛的压力为80～100N，转速为15～20rpm，流量为480～520mL/min；

所述双面粗抛的时间为15～20min；