[发明专利]一种高精度双通道光电耦合器

权利要求书

1.一种高精度双通道光电耦合器，其特征在于，包括第一支架和第二支架，

所述第一支架的基岛面中心位置处固定安装有一颗用于接收红外光的红外接收光敏三极管芯片，所述红外接收光敏三极管芯片的焊垫与第一支架的焊点位置之间设有键合丝；

所述第二支架的单个基岛面中心位置处固定有两颗并列排布、用于发射红外光的红外发光二极管芯片；

两颗红外发光二极管芯片固定于基岛面时，一颗红外发光二极管芯片的P极和N极分别正向的对应焊垫面和背金面，另一颗红外发光二极管芯片的P极和N极分别反向倒装的对应背金面和焊垫面、并形成P极作为背金面和N极作为焊垫面的反向电路倒装结构，两颗所述红外发光二极管芯片的P极和N极正反向焊垫面与背金面互换、并形成正极性与反极性的红外发射芯片组合；

两颗所述红外发光二极管芯片的焊垫与第二支架的焊点位置之间分别设有键合丝；

所述第一支架相对第二支架折弯后形成两颗红外发光二极管芯片与红外接收光敏三极管芯片直接对射设置。

2.根据权利要求1所述的一种高精度双通道光电耦合器，其特征在于：两颗所述红外发光二极管芯片为采用同材质的GaAs红外发光二极管芯片。

3.根据权利要求1所述的一种高精度双通道光电耦合器，其特征在于：两颗所述红外发光二极管芯片的焊垫与第二支架上的二个焊点分别一一对应焊接形成单一基岛上二个焊点的二次焊接。

4.根据权利要求1所述的一种高精度双通道光电耦合器，其特征在于：所述红外接收光敏三极管芯片和所述红外发光二极管芯片分别通过导电银胶固定于各自的基岛面上。

5.根据权利要求1所述的一种高精度双通道光电耦合器，其特征在于：所述红外接收光敏三极管芯片和所述红外发光二极管芯片上的键合丝分别采用超声波焊接键合。

6.根据权利要求1所述的一种高精度双通道光电耦合器，其特征在于：所述第二支架的基岛面上采用针头垂直吐胶方式、一次性将两颗红外发光二极管芯片直接采用硅胶包裹固定。