[发明专利]一种高精度双通道光电耦合器

说明书

本发明公开的一种高精度双通道光电耦合器，包括第一支架和第二支架，第一支架上固定有一颗红外接收光敏三极管芯片；第二支架上安装有两颗红外发光二极管芯片；红外接收光敏三极管芯片的焊垫与第一支架的焊点位置之间设有键合丝、并形成单一基岛上二个焊点的二次焊接；第一支架相对第二支架折弯后形成两颗红外发光二极管芯片与红外接收光敏三极管芯片直接对射设置，利用正极性和反极性两颗红外发光二极管芯片的组合形成正向电路和反向倒装电路组合结构，直接对射式大幅提高对射的光转换效率，便于对发射芯片光功率能够进行有效的控制，有助于提升双通道转换效率的一致性，解决了现有双芯片必须双基岛支架结构造成的无法形成直接对射的问题。

【技术领域】

本发明涉及光电耦合器技术，尤其涉及一种高精度双通道光电耦合器。

【背景技术】

光电耦合器是一种把红外光发射器件和红外光接受器件以及信号处理电路等封装在同一管壳内的器件。当输入电信号加到输入端发光器件LED上，LED发光，光接收器件接收光信号并转换成电信号，然后将电信号直接输出，或者将电信号放大处理成标准数字电平输出，这样就实现了“电-光-电”的转换及传输，光是传输的媒介，因而输入端与输出端在电气上是绝缘的，也称为电隔离。

现有的光电耦合器，例如光电耦合器814产品，如图1所示，一般由两颗分别具有红外发光二极管的发射芯片1’和一颗具有光敏三极管的接收芯片2’组成，两颗发射芯片1’分别安装在一侧具有双基岛的发射支架3’上，接收芯片2’安装在另一侧的接收支架4’；这样的结构，必然造成折弯成型后对射的偏移；而且，如图2所示的红外发射芯片极性示意图，现有的光电耦合器814产品，在后续加工的金属导电接触面中，一般采用芯片的N极做背金面5’，芯片的P极做焊垫面6’。另外，现有光电耦合器814产品上，其红外发光二极管的发射芯片1’，如图1和图3所示，在发射端通过发射端双基岛结构固晶后焊接，形成正反双通道通电发光、来控制接收端光敏三极管的接收芯片2’导通。

由于以上产品结构的限制，决定了现有光电耦合器814产品的生产，必须开发独立专用的双基岛支架，并匹配对应的固晶、焊线、点胶等相关设备与治具，但是，现有的光电耦合器814产品的市场应用规模有限，造成投入资金过大、设备利用效率底的生产问题；同时，现有技术条件下的双通道光电耦合器814产品，由于双通道结构设计因素的影响，造成折弯成型后对射的偏移，必然要求发射芯片1’与接收芯片2’之间的对射，通过环氧树脂的折射形成光传递，这就造成光转换效率低、反应灵敏度底，且芯片尺寸大的问题，对应的导致正反向通道转换效率误差大，容易造成品控质量不可控的生产问题，迫切需要对现有的光电耦合器814产品进行结构的改进。

【发明内容】

本发明提供一种适用于光电耦合器814的光耦内部连接，采用直接对射式大幅度提高对射的光转换效率，具有体积小的高精度双通道光电耦合器。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：

一种高精度双通道光电耦合器，包括第一支架和第二支架，所述第一支架的基岛面中心位置处固定安装有一颗用于接收红外光的红外接收光敏三极管芯片，所述红外接收光敏三极管芯片的焊垫与第一支架的焊点位置之间设有键合丝；

所述第二支架的单个基岛面中心位置处固定有两颗并列排布、用于发射红外光的红外发光二极管芯片；

两颗红外发光二极管芯片固定于基岛面时，一颗红外发光二极管芯片的P极和N极分别正向的对应焊垫面和背金面，另一颗红外发光二极管芯片的P极和N极分别反向倒装的对应背金面和焊垫面、并形成P极作为背金面和N极作为焊垫面的反向电路倒装结构，两颗所述红外发光二极管芯片的P极和N极正反向焊垫面与背金面互换、并形成正极性与反极性的红外发射芯片组合；

两颗所述红外发光二极管芯片的焊垫与第二支架的焊点位置之间分别设有键合丝；

所述第一支架相对第二支架折弯后形成两颗红外发光二极管芯片与红外接收光敏三极管芯片直接对射设置。