[发明专利]横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种横向扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，包括：

衬底；

漂移区，设置在所述衬底中；

漏极区，设置在所述衬底中，与所述漂移区相接触；

体区，设置在所述衬底中；

绝缘层，至少部分设置在所述体区中；

源极区，位于所述绝缘层上；及

栅极结构，设置在所述漏极区和源极区之间的衬底上。

2.根据权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，所述漂移区、漏极区及源极区具有第一导电类型，所述衬底和体区具有第二导电类型，所述第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类型。

3.根据权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，还包括位于所述体区中的体引出区，所述体引出区的导电类型与所述体区相同、与所述源极区相反，所述体引出区的掺杂浓度大于所述体区的掺杂浓度，所述源极区设置在所述体区中，所述绝缘层位于所述体引出区和所述源极区之间；所述栅极结构的一侧位于所述漂移区上，所述栅极结构的另一侧位于所述体区上。

4.根据权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，所述绝缘层的材料为硅氧化物，所述源极区为应变硅层。

5.根据权利要求2所述的横向扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，还包括：

第二导电类型掺杂区，设置在所述衬底中，所述漂移区位于所述第二导电类型掺杂区和体区之间；

衬底引出区，设置在所述第二导电类型掺杂区中，具有第二导电类型，所述衬底引出区的掺杂浓度大于所述第二导电类型掺杂区的掺杂浓度。

6.一种横向扩散金属氧化物半导体器件的制造方法，包括：

获取衬底，所述衬底中形成有体区和漂移区；

去除所述体区的部分区域形成凹槽；

在所述凹槽内形成绝缘层；

在所述绝缘层上形成源极区；

形成栅极结构和漏极区；所述漏极区与所述漂移区相接触，所述栅极结构设置在所述漏极区和源极区之间的衬底上。

7.根据权利要求6所述的横向扩散金属氧化物半导体器件的制造方法，其特征在于，所述在所述凹槽内形成绝缘层的步骤之后、所述在所述绝缘层上形成源极区的步骤之前，还包括刻蚀部分区域的所述绝缘层，从而将所述绝缘层下方的体区露出的步骤；所述在所述绝缘层上形成源极区的步骤是在刻蚀剩余的绝缘层上形成源极区；

所述制造方法还包括在露出的体区位置形成体引出区的步骤；所述体引出区的导电类型与所述体区相同、与所述源极区相反，所述体引出区的掺杂浓度大于所述体区的掺杂浓度，所述绝缘层位于所述体引出区和所述源极区之间。

8.根据权利要求7所述的横向扩散金属氧化物半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述凹槽内形成绝缘层的步骤是热氧化生长硅氧化物作为所述绝缘层。

9.根据权利要求8所述的横向扩散金属氧化物半导体器件的制造方法，其特征在于，所述在所述绝缘层上形成源极区的步骤是通过应变硅技术在所述刻蚀剩余的绝缘层上外延形成所述源极区。

10.根据权利要求9所述的横向扩散金属氧化物半导体器件的制造方法，其特征在于，所述在露出的体区位置形成体引出区的步骤在所述通过应变硅技术在所述刻蚀剩余的绝缘层上外延形成所述源极区的步骤之前。