[发明专利]横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法

说明书

本发明涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法。所述横向扩散金属氧化物半导体器件包括：衬底；漂移区，设置在所述衬底中；漏极区，设置在所述衬底中，与所述漂移区相接触；体区，设置在所述衬底中；绝缘层，至少部分设置在所述体区中；源极区，位于所述绝缘层上；及栅极结构，设置在所述漏极区和源极区之间的衬底上。本发明通过绝缘层在源极区和体区之间形成隔离，能够减轻源极区和体区形成的PN结导通导致的寄生效应，减小损耗，提高器件性能。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，特别是涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件，还涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件的制造方法。

背景技术

横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件由于寄生BJT(Bipolar JunctionTransistor，双极结型晶体管)的存在，在实际应用过程中体二极管续流会导致寄生BJT开启，从而产生漏电，影响器件性能。

发明内容

基于此，有必要提供一种能够避免源极区和体区形成的PN结导通导致寄生BJT开启的横向扩散金属氧化物半导体器件。

一种横向扩散金属氧化物半导体器件，包括：衬底；漂移区，设置在所述衬底中；漏极区，设置在所述衬底中，与所述漂移区相接触；体区，设置在所述衬底中；绝缘层，至少部分设置在所述体区中；源极区，位于所述绝缘层上；及栅极结构，设置在所述漏极区和源极区之间的衬底上。

上述横向扩散金属氧化物半导体器件，通过绝缘层在源极区和体区之间形成隔离，能够减轻源极区和体区形成的PN结导通导致的寄生效应，减小损耗，提高器件性能。

在其中一个实施例中，所述栅极结构的一侧位于所述漂移区上，所述栅极结构的另一侧位于所述体区上。

在其中一个实施例中，所述漂移区、漏极区及源极区具有第一导电类型，所述衬底和体区具有第二导电类型，所述第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类型。

在其中一个实施例中，还包括位于所述体区中的体引出区，所述体引出区的导电类型与所述体区相同、与所述源极区相反，所述体引出区的掺杂浓度大于所述体区的掺杂浓度，所述源极区设置在所述体区中，所述绝缘层位于所述体引出区和所述源极区之间。

在其中一个实施例中，所述绝缘层的材料为硅氧化物。

在其中一个实施例中，所述源极区为应变硅层

在其中一个实施例中，还包括：第二导电类型掺杂区，设置在所述衬底中，所述漂移区位于所述第二导电类型掺杂区和体区之间；衬底引出区，设置在所述第二导电类型掺杂区中，具有第二导电类型，所述衬底引出区的掺杂浓度大于所述第二导电类型掺杂区的掺杂浓度。

还有必要提供一种横向扩散金属氧化物半导体器件的制造方法。

一种横向扩散金属氧化物半导体器件的制造方法，包括：获取衬底，所述衬底中形成有体区和漂移区；去除所述体区的部分区域形成凹槽；在所述凹槽内形成绝缘层；在所述绝缘层上形成源极区；形成栅极结构和漏极区；所述漏极区与所述漂移区相接触，所述栅极结构设置在所述漏极区和源极区之间的衬底上。

上述横向扩散金属氧化物半导体器件的制造方法形成的横向扩散金属氧化物半导体器件，通过绝缘层在源极区和体区之间形成隔离，能够减轻源极区和体区形成的PN结导通导致的寄生效应，减小损耗，提高器件性能。

在其中一个实施例中，所述在所述凹槽内形成绝缘层的步骤之后、所述在所述绝缘层上形成源极区的步骤之前，还包括刻蚀部分区域的所述绝缘层，从而将所述绝缘层下方的体区露出的步骤；所述在所述绝缘层上形成源极区的步骤是在刻蚀剩余的绝缘层上形成源极区；所述制造方法还包括在露出的体区位置形成体引出区的步骤；所述体引出区的导电类型与所述体区相同、与所述源极区相反，所述体引出区的掺杂浓度大于所述体区的掺杂浓度，所述绝缘层位于所述体引出区和所述源极区之间。