[发明专利]半导体器件和生产半导体器件的方法在审
| 申请号： | 202111282568.3 | 申请日： | 2021-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN114446915A | 公开（公告）日： | 2022-05-06 |
| 发明（设计）人： | 里卡多·杨多克;安东尼·马修;马诺耶·巴拉克瑞南;亚当·布朗 | 申请（专利权）人： | 安世有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 张芸;龙涛峰 |
| 地址： | 荷兰*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 生产 方法 | ||
1.一种半导体器件，包括：
-夹片，其中所述夹片包括夹片槽，以及
-嵌条，其中所述嵌条包括沟槽，
-其中所述沟槽和所述夹片槽至少部分地重叠以形成气体通路。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述夹片和所述嵌条通过超声波焊接连接。
3.根据前述权利要求中任一项所述的半导体器件，其中，所述半导体器件还包括：
-引线框架，
-定位在所述引线框架的顶部上的第一焊料，
-定位在所述第一焊料的顶部上的硅裸片，
-定位在所述硅裸片的顶部上的第二焊料，
-所述夹片和所述嵌条定位在所述第二焊料的顶部上。
4.根据前述权利要求中任一项所述的半导体器件，其中，所述半导体器件包括至少两个沟槽和至少两个夹片槽。
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述沟槽和所述夹片槽彼此重叠，并且所述沟槽和所述夹片槽均形成交叉形状或加号形状。
6.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述沟槽和所述夹片槽彼此部分地重叠，并且所述沟槽和所述夹片槽形成矩形形状，所述沟槽对应于所述矩形形状的两条第一边，并且所述夹片槽对应于所述矩形形状的两条第二边，并且所述沟槽与所述夹片槽之间的重叠位于所述矩形形状的顶点处。
7.一种生产根据前述权利要求中任一项所述的半导体器件的方法。
8.一种生产半导体器件的方法，所述方法包括以下步骤：
-在裸片焊盘上进行焊料模板印刷，
-将裸片附接至所述裸片焊盘，
-将焊料分配在所述裸片的顶部上，
-使用超声波焊接将嵌条附接至夹片，其中所述嵌条包括沟槽，并且所述夹片包括夹片槽，当将所述嵌条附接至所述夹片时所述沟槽和所述夹片槽至少部分地重叠，并且所述沟槽被定位在所述嵌条的用于将所述嵌条附接所述夹片的一侧上，以及
-成型、PMC去飞边和镀覆。
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