[发明专利]半导体结构、其制作方法、存储器、存储系统与电子设备

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

基底结构，包括间隔的源区和漏区，所述源区和所述漏区包括轻掺杂漏区；

栅极结构，位于所述基底结构的表面上，且部分位于间隔的所述轻掺杂漏区之间；

介质层，至少位于所述轻掺杂漏区的表面上；

金属层，位于所述介质层的远离所述轻掺杂漏区的表面上，所述金属层用于与零电位连接。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述介质层的厚度大于所述金属层的厚度。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述金属层的材料包括铜。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述介质层还位于所述栅极结构的远离所述基底结构的表面上。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：

绝缘层，位于所述金属层的远离所述介质层的部分表面上。

6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述绝缘层的材料包括氮化硅。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述介质层的材料包括氧化硅。

8.一种半导体的制作方法，其特征在于，包括：

提供基底结构，所述基底结构包括间隔的源区和漏区，所述源区和所述漏区包括轻掺杂漏区；

在所述基底结构的表面上，形成栅极结构，所述栅极结构位于所述基底结构的表面上，且部分位于间隔的所述轻掺杂漏区之间；

至少在所述轻掺杂漏区的裸露表面上，形成介质层；

在所述介质层的远离所述轻掺杂漏区的表面上，形成金属层，将所述金属层与零电位连接。

9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述介质层的厚度大于所述金属层的厚度。

10.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，至少在所述轻掺杂漏区的表面上，形成介质层，包括：

在所述轻掺杂漏区的表面上和所述栅极结构的远离所述基底结构的表面上形成所述介质层。

11.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：

在所述金属层的远离所述介质层的至少部分表面上形成绝缘层。

12.一种存储器，包括：

采用权利要求8至11中任一项所述的制作方法形成的半导体结构或者权利要求1至7中任一项所述的半导体结构；以及，

存储阵列，所述存储阵列与所述半导体结构相连接。

13.根据权利要求12所述的存储器，其特征在于，所述存储器包括三维NAND存储器。

14.一种存储系统，其特征在于，包括控制器及权利要求12或13所述的存储器，所述控制器耦合至所述存储器，且用于控制所述存储器存储数据。

15.一种电子设备，其特征在于，包括：权利要求12或13所述的存储器。

16.根据权利要求15所述的电子设备，其特征在于，所述电子设备包括如下至少一种：手机、台式计算机、平板电脑、笔记本电脑、服务器、车载设备、可穿戴设备、移动电源。