[发明专利]一种低压差NMOS型稳压器及迟滞控制方法有效
申请号: | 202111287283.9 | 申请日: | 2021-11-02 |
公开(公告)号: | CN113885633B | 公开(公告)日: | 2023-02-24 |
发明(设计)人: | 孙鹏;苗小雨;杨勇;周彦;柳泽宇;陈晓 | 申请(专利权)人: | 中微半导体(深圳)股份有限公司 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 重庆中之信知识产权代理事务所(普通合伙) 50213 | 代理人: | 仇倩倩 |
地址: | 518051 广东省深圳市南山区南头*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 低压 nmos 稳压器 迟滞 控制 方法 | ||
1.一种低压差NMOS型稳压器,其特征在于,主要包括NMOS功率管,ADC模块,迟滞控制单元,充电电路和放电电路;
所述ADC模块分别与所述NMOS功率管的源极和所述迟滞控制单元连接,所述充电电路和所述放电电路都分别与所述迟滞控制单元和所述NMOS功率管的栅极连接;
所述ADC模块用于对所述NMOS型稳压器的输出电压进行测量,并将电压测量结果输出至所述迟滞控制单元;
所述迟滞控制单元用于根据所述电压测量结果,发送充电电路控制信号到所述充电电路和/或发送放电电路控制信号到所述放电电路;
所述充电电路和所述放电电路分别用于给所述NMOS功率管的栅极充电和放电;
所述NMOS功率管的漏极与工作电源端相连;
所述ADC模块包括电阻分压网络、电压比较器和NMOS型开关,所述电阻分压网络的输入端与所述NMOS功率管的源极相连接,所述电阻分压网络的不同分压电阻之间有若干个输出节点,所述电压比较器的正向输入端连接有同一个参考电压源,所述电压比较器的输出端分别与所述迟滞控制单元和所述NMOS型开关的栅极相连接,所述NMOS型开关的源极和漏极依次连接在不同的所述输出节点之上;所述电压比较器的负向输入端分别连接在所述电阻分压网络的不同输出节点上;
所述NMOS型稳压器还包括功率管电流检测模块,所述功率管电流检测模块分别与所述NMOS功率管的源极和所述迟滞控制单元连接;
所述功率管电流检测模块用于对所述NMOS型稳压器的输出电流进行测量,并将电流测量结果输出至所述迟滞控制单元;
所述迟滞控制单元具体用于根据所述电压测量结果和所述电流测量结果,发送充电电路控制信号到所述充电电路和/或发送放电电路控制信号到所述放电电路;
所述功率管电流检测模块包括采样管和迟滞电流比较器,所述迟滞电流比较器包括电流比较器和迟滞反馈环路;所述电流比较器串联在所述迟滞反馈环路中,并与所述迟滞控制单元连接;所述采样管分别和所述NMOS功率管源极和所述迟滞反馈环路相连接。
2.如权利要求1所述的低压差NMOS型稳压器,其特征在于,所述电压比较器包括两个,两个所述电压比较器的负向输入端分别与不同的所述输出节点连接,所述电压测量结果包括第一电压测量结果、第二电压测量结果和第三电压测量结果;
所述第一电压测量结果表示所述输出电压低于阈值Vth1,所述第二电压测量结果表示所述输出电压不低于所述阈值Vth1但低于阈值Vth2,所述第三电压测量结果表示所述输出电压不低于所述阈值Vth2。
3.如权利要求1所述的低压差NMOS型稳压器,其特征在于,所述电压比较器包括三个,三个所述电压比较器的负向输入端分别与不同的所述输出节点连接,所述电压测量结果包括第一电压测量结果、第二电压测量结果、第三电压测量结果和第四电压测量结果;
所述第一电压测量结果表示所述输出电压低于阈值Vth1,所述第二电压测量结果表示所述输出电压不低于所述阈值Vth1但低于阈值Vth2,所述第三电压测量结果表示所述输出电压不低于所述阈值Vth2但低于阈值Vth3,所述第四电压测量结果表示所述输出电压不低于所述阈值Vth3。
4.如权利要求1中所述的低压差NMOS型稳压器,其特征在于,所述NMOS型稳压器还包括输出阻抗控制模块,所述输出阻抗控制模块连接至所述NMOS功率管的源极;
所述输出阻抗控制模块用于控制所述NMOS型稳压器的等效输出阻抗。
5.如权利要求1中所述的低压差NMOS型稳压器,其特征在于,所述NMOS型稳压器还包括低通滤波器,所述充电电路和所述放电电路通过所述低通滤波器与所述NMOS功率管的栅极相连接。
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