[发明专利]焦平面阵列探测器倒焊芯片内部互连情况的检测方法

权利要求书

1.一种焦平面阵列探测器倒焊芯片内部互连情况的检测方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、通过加电测试确定待检查芯片上瑕疵点的位置；

S2、在芯片两个侧面上对应瑕疵点的位置处使用激光点光源分别刻画出第一标记和第二标记；

S5、将待检查芯片的探测器端朝上，分别以第一标记和第二标记的痕迹的中心位置作为对准标记位，以两个对准标记位在探测器单元上的连线作为划片轨迹，使用划片机进行划片，形成第一划片道，所述第一划片道的深度小于探测器单元的厚度；

S6、将待检查芯片的读出电路端朝上，分别以第一标记和第二标记的痕迹的中心位置作为对准标记位，以两个对准标记位在读出电路单元上的连线作为划片轨迹，使用划片机进行划片，形成第二划片道，所述第二划片道的深度小于读出电路单元的厚度；

S7、将待检查芯片放置在冷却夹具上固定，将液氮倒入夹具注入孔中，使待检查芯片在其内应力的作用下沿着划片道的位置形成整齐的芯片断裂面；

S8、采用显微镜或SEM通过芯片断裂面对芯片内凸点连接的状态进行检查。

2.根据权利要求1所述的焦平面阵列探测器倒焊芯片内部互连情况的检测方法，其特征在于，所述待检查芯片的阵列间距大于或等于10μm。

3.根据权利要求1所述的焦平面阵列探测器倒焊芯片内部互连情况的检测方法，其特征在于，所述第一标记和所述第二标记均为竖直贯穿待检查芯片侧面的通槽。

4.根据权利要求3所述的焦平面阵列探测器倒焊芯片内部互连情况的检测方法，其特征在于，所述第一标记和所述第二标记的槽宽均小于0.1mm。

5.根据权利要求1所述的焦平面阵列探测器倒焊芯片内部互连情况的检测方法，其特征在于，在执行完S2步骤后，先执行以下步骤：

S3、将待检查芯片的探测器端朝上，使用激光点光源在距离瑕疵点0.5～1.0个像元间距的范围内刻画第三标记；

S4、在探测器单元上分别以第一标记和第二标记的痕迹的中心位置作为对准标记位，沿两个对准标记位连线，如果连线通过第三标记，则执行S5步骤；否则，返回执行S2步骤。

6.根据权利要求5所述的焦平面阵列探测器倒焊芯片内部互连情况的检测方法，其特征在于，所述第三标记为点状的凹坑，所述凹坑的半径为2～3μm。

7.根据权利要求1所述的焦平面阵列探测器倒焊芯片内部互连情况的检测方法，其特征在于，在所述S5步骤中，划片机的划片转速为3500～4000转，进刀速度为0.5mm/s。

8.根据权利要求1所述的焦平面阵列探测器倒焊芯片内部互连情况的检测方法，其特征在于，在所述S5步骤中，根据以下公式设置划片机的划片刀高度：

h1＝d2+D1

其中，h1表示在探测器单元上划片时划片刀的设置高度；d2表示读出电路单元的厚度；D1表示探测器单元在划片后的留厚，取值范围为0.1mm～0.15mm。

9.根据权利要求1所述的焦平面阵列探测器倒焊芯片内部互连情况的检测方法，其特征在于，在所述S6步骤中，划片机的划片转速为3500～4000转，进刀速度为0.8m/s。

10.根据权利要求1所述的焦平面阵列探测器倒焊芯片内部互连情况的检测方法，其特征在于，在所述S6步骤中，根据以下公式设置划片机的划片刀高度：

h2＝d1+D2

其中，h2表示在读出电路单元上划片时划片刀的设置高度；d1表示探测器单元的厚度；D2表示读出电路单元在划片后的留厚，取值范围为0.15mm～0.18mm。