[发明专利]焦平面阵列探测器倒焊芯片内部互连情况的检测方法

说明书

本发明涉及一种焦平面阵列探测器倒焊芯片内部互连情况的检测方法，包括在芯片两个侧面上对应瑕疵点的位置处分别刻画出第一标记和第二标记；以第一标记和第二标记的痕迹的连线作为划片轨迹，在待检查芯片的探测器端形成第一划片道，在读出电路端形成第二划片道；将待检查芯片放置在冷却夹具上固定，倒入液氮使待检查芯片沿着划片道的位置形成整齐的芯片断裂面；采用显微镜或SEM通过芯片断裂面对芯片内凸点连接的状态进行检查。本发明中，能够将芯片解剖位置与电性能测试中的瑕疵位置进行像素级对应，可适用于10μm凸点间距的焦平面芯片的定位解剖；可为微米级间距焦平面芯片倒焊工艺质量技术分析提供有效手段，以利于倒焊互连质量改进。

技术领域

本发明属于半导体光电子技术领域，涉及一种焦平面阵列探测器倒焊芯片内部互连情况的检测方法。

背景技术

焦平面探测器芯片的瑕疵点(即盲元)，在成像测试过程中很容易根据瑕疵点的坐标位置，对芯片发生瑕疵的位置进行定位，但定位后，想要进一步对芯片内部指定位置进行凸点互连情况的观察，则难度较大。现有技术中，一般根据电信号的输出情况进行检查，或者通过X光和超声波进行透视检查。但前者受限于电路结构，并不能适用于所有的倒焊芯片，后者受限于设备的分辨率，对于阵列间距在100μm量级以下的芯片，图像几乎是漆黑一片，难以获得内部凸点的清晰图像。因此，对于凸点间距100μm以下的芯片，需要通过解剖的方式对芯片内部进行分析。

随着焦平面探测器技术的发展，芯片解剖的位置精度要求越发精确。一般情况，焦平面芯片最佳解剖面的位置是凸点与凸点之间的空白区域，目前，焦平面器件的凸点间距已经缩小到10μm以内，凸点与凸点之间空白区域的尺寸只有不到3μm。传统的解剖方法是采用减薄工艺从芯片侧面按要求厚度减薄，这种方法对芯片内部结构损伤小，但加工处理时间长，工艺效率极低，处理一个芯片一般在4个小时以上，而且减薄精度难以控制，需要在接近目标厚度位置时，不断进行停机检查，以保证解剖面位于准确位置；难以保证像素级的准确性，无法适应10μm凸点间距器件的像素级定位要求。因此，采用传统芯片解剖的方法难度非常大。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种焦平面阵列探测器倒焊芯片内部互连情况的检测方法。

为达到上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种焦平面阵列探测器倒焊芯片内部互连情况的检测方法，包括以下步骤：

S1、通过加电测试确定待检查芯片上瑕疵点的位置；

S2、在芯片两个侧面上对应瑕疵点的位置处使用激光点光源分别刻画出第一标记和第二标记；

S5、将待检查芯片的探测器端朝上，分别以第一标记和第二标记的痕迹的中心位置作为对准标记位，以两个对准标记位在探测器单元上的连线作为划片轨迹，使用划片机进行划片，形成第一划片道，所述第一划片道的深度小于探测器单元的厚度；

S6、将待检查芯片的读出电路端朝上，分别以第一标记和第二标记的痕迹的中心位置作为对准标记位，以两个对准标记位在读出电路单元上的连线作为划片轨迹，使用划片机进行划片，形成第二划片道，所述第二划片道的深度小于读出电路单元的厚度；

S7、将待检查芯片放置在冷却夹具上固定，将液氮倒入夹具注入孔中，使待检查芯片在其内应力的作用下沿着划片道的位置形成整齐的芯片断裂面；

S8、采用显微镜或SEM通过芯片断裂面对芯片内凸点连接的状态进行检查。

进一步的，所述待检查芯片的阵列间距大于或等于10μm。

进一步的，所述第一标记和所述第二标记均为竖直贯穿待检查芯片侧面的通槽。

进一步的，所述第一标记和所述第二标记的槽宽均小于0.1mm。

进一步的，在执行完S2步骤后，先执行以下步骤：