[发明专利]一种原位快速测量微/纳发光材料变温光谱的方法

权利要求书

1.一种原位快速测量微/纳发光材料变温光谱的方法，其特征在于该方法由下述步骤组成：

步骤1：银纳米薄膜包覆发光材料的制备

将发光材料加入去离子水中，室温超声均匀后滴在预先洗净的玻璃片上，置于烘箱里完全烘干，随后通过热蒸发镀膜仪在玻璃片上的发光材料表面蒸镀一层银纳米薄膜，得到银纳米薄膜包覆的发光材料；

步骤2：银纳米岛包覆发光材料的制备

将银纳米薄膜包覆的发光材料用激光照射，使银纳米薄膜形成银纳米岛，得到银纳米岛包覆的发光材料；

步骤3：发光材料变温光谱的测量

将银纳米岛包覆的发光材料用不同功率的激光照射，得到不同温度下发光材料的荧光光谱。

2.根据权利要求1所述的原位快速测量微/纳发光材料变温光谱的方法，其特征在于：步骤1中，蒸镀的银纳米薄膜的厚度为15～25nm。

3.根据权利要求1所述的原位快速测量微/纳发光材料变温光谱的方法，其特征在于：其特征在于：步骤1中，烘箱的温度为50～70℃。

4.根据权利要求1所述的原位快速测量微/纳发光材料变温光谱的方法，其特征在于：其特征在于：步骤2中，所述激发光的波长为980nm、照射功率为60mW或者激发光的波长为520nm、照射功率为20mW。

5.根据权利要求4所述的原位快速测量微/纳发光材料变温光谱的方法，其特征在于：步骤2中，照射的时间为1～5秒。

6.根据权利要求1所述的原位快速测量变微/纳发光材料温光谱的方法，其特征在于：步骤1中，所述发光材料为NaYF₄:RE³⁺、YF₃:RE³⁺、LaF₃:RE³⁺、NaYbF₄:RE³⁺、NaGdF₄:RE³⁺、NaLaF₄:RE³⁺中任意一种，RE³⁺是Er³⁺、Yb³⁺、Ho³⁺、Tb³⁺、Eu³⁺、Nd³⁺、Pr³⁺、Sm³⁺、Dy³⁺中任意一个或两个。