[发明专利]一种原位快速测量微/纳发光材料变温光谱的方法

说明书

本发明公开了一种原位快速测量微纳发光材料变温光谱的方法，该方法以吸收截面大的小尺寸银纳米岛作为热源，在光照条件下使银纳米岛在极短的时间内产生极高的热量，并传导至发光材料，使其局域温度瞬间升高；银纳米岛作为微纳尺度的可控热源，热效应可以通过光源特性进行调控，进而实现热源功率和发光材料环境温度的有效控制。本发明将银纳米岛作为可控热源，实现了对微纳发光材料变温光谱的测量，该方法简单易行，升温、降温过程快速，所需激发功率密度小。

技术领域

本发明属于发光材料变温光谱测量技术领域，具体涉及一种实现原位、快速测量发光材料变温光谱的方法。

背景技术

随着发光领域的蓬勃发展，微纳尺寸发光材料受到信息技术，医学，生物等高端技术领域的广泛关注。荧光光谱代表了发光材料内部一定的电子能级跃迁机制，也反映了材料的性能及其缺陷，是一种用于提供发光材料光学特性信息的光谱技术。发光材料对温度非常敏感，在不同温度下，材料的荧光强度和波长都会发生明显的变化。发光材料的温度特性是一种重要的光学性能指标。它的这一特性不仅影响材料的应用范围，同时材料荧光的温度效应也是现代荧光温度传感器的基础。因此，对材料的荧光-温度行为进行研究，具有重要意义。

目前国内外荧光测量技术已经基本成熟，具有高的信号探测灵敏度及信噪比并可以精确控温。然而变温荧光测量技术亦有不足之处，如：测试系统体积较大，不能任意更换激发光源的波长和光强，无法实现在大范围变温条件下的快速、原位光谱测量，成本昂贵等。因此，为了满足光谱信息技术测试发展需求需要开发和建立新型光谱测试技术。

发明内容

本发明的目的在于克服上述现有技术中存在的问题，提供一种操作简单，在温和条件下快原位快速测量微/纳发光材料变温光谱的方法。

针对上述目的，本发明采用的技术方案由下述步骤组成：

步骤1：银纳米薄膜包覆发光材料的制备

将发光材料加入去离子水中，室温超声均匀后滴在预先洗净的玻璃片上，置于烘箱里完全烘干，随后通过热蒸发镀膜仪在玻璃片上的发光材料表面蒸镀一层银纳米薄膜，得到银纳米薄膜包覆的发光材料；

步骤2：银纳米岛包覆发光材料的制备

将银纳米薄膜包覆的发光材料用激光照射，使银纳米薄膜形成银纳米岛，得到银纳米岛包覆的发光材料；

步骤3：发光材料变温光谱的测量

将银纳米岛包覆的发光材料用不同功率的激光照射，得到不同温度下发光材料的荧光光谱。

上述步骤1中，优选蒸镀的银纳米薄膜的厚度为15～25nm，烘箱的温度为50～70℃。

上述步骤2中，所述激发光的波长为980nm、照射功率为60mW或者激发光的波长为520nm、照射功率为20mW。

上述步骤2中，优选照射的时间为1～5秒。