[发明专利]半导体器件、制作方法及三维存储器

权利要求书

1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：

形成半导体结构，所述半导体结构包括衬底、位于衬底上包括交替堆叠的栅极层和绝缘层的堆叠结构、贯穿所述堆叠结构并延伸到所述衬底中的沟道结构以及贯穿所述堆叠结构并将所述堆叠结构分割为若干部分的栅线缝隙；

在所述栅线缝隙内形成第一填充层；

在所述第一填充层的至少部分内壁形成第二填充层；

其中，所述第一填充层的材料包括氧化物，所述第二填充层的材料包括非晶硅。

2.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，在所述第一填充层的至少部分内壁形成第二填充层之后，还包括：

进行原位退火处理。

3.如权利要求2所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述在所述栅线缝隙内形成第一填充层，具体包括：

在所述栅线缝隙内形成第一填充层，以使至少部分所述第一填充层位于所述栅线缝隙内的底部。

4.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述第二填充层的材料掺杂有碳元素。

5.如权利要求4所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，在所述第一填充层的至少部分内壁形成第二填充层之前，还包括：

去除所述堆叠结构中形成所述栅线缝隙底部的部分内壁，以使所述栅线缝隙的底部延伸到所述衬底中。

6.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述沟道结构包括在径向上由外向内形成的功能层、沟道层和隔离层，在所述第一填充层的内壁形成第二填充层之后，还包括：

去除所述衬底；

去除所述沟道结构端部的部分功能层，以暴露所述沟道结构端部的所述沟道层；

形成源区，其中，所述堆叠结构包括背对的正面和背面，所述背面为靠近所述衬底的一侧，所述源区位于所述堆叠结构的所述背面，且所述源区覆盖所述沟道结构和所述栅线缝隙结构的端部。

7.如权利要求6所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，在所述去除所述衬底之后，还包括：

去除所述栅线缝隙结构端部的部分所述第一填充层，以暴露所述栅线缝隙结构端部的所述第二填充层，以在形成所述源区后与所述源区连通。

8.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述第一填充层在第二方向上具有第一厚度，所述第二填充层在所述第二方向上具有第二厚度，所述第一厚度和第二厚度的比值范围包括1/10-10。

9.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，在所述栅线缝隙内形成第一填充层之前，还包括：

在所述栅线缝隙内形成间隔层。

10.一种半导体器件，其特征在于，包括：

源区；

位于所述源区上包括交替堆叠的栅极层和绝缘层的堆叠结构；

贯穿所述堆叠结构并延伸到所述源区中的沟道结构，所述沟道结构包括在径向上由外向内形成的功能层、沟道层和隔离层，所述沟道结构端部的所述沟道层延伸到所述源区中并与所述源区连接；

贯穿所述堆叠结构并延伸到所述源区中将所述堆叠结构分割为若干部分的栅线缝隙结构，所述栅线缝隙结构包括由外向内依次形成的第一填充层和第二填充层；

其中，所述第一填充层的材料包括氧化物，所述第二填充层的材料包括非晶硅。

11.如权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述第二填充层的材料掺杂有碳元素。

12.如权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述第二填充层延伸到所述源区中并与所述源区连接。

13.如权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，在第一方向上的部分所述第一填充层位于所述第二填充层端部和所述源区之间。