[发明专利]单晶硅棒拉取方法、装置和存储介质

权利要求书

1.一种单晶硅棒拉取方法，其特征在于，所述方法包括：

在晶体等径过程中，定时获取单晶硅棒的等径长度和拉取所述单晶硅棒的控制参数，所述控制参数包括：坩埚转速、晶转速度和提拉速度；

确定所述等径长度所属的长度范围；

根据所述长度范围调整所述控制参数，根据调整后所述控制参数控制所述单晶硅棒的拉取。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，若0≤等径长度＜第一阈值，则所述根据所述长度范围调整所述控制参数，包括：

将所述提拉速度从初始提拉速度提升至第一提拉速度，并将所述晶转速度从初始晶转速度提升至第一晶转速度；

控制所述坩埚转速按照预设变化周期变化，所述预设变化周期包括从初始坩埚速度提升至第一坩埚转速，维持所述第一坩埚转速预设时间后恢复至所述初始坩埚转速，维持所述初始坩埚转速工作第二预设时间后再次提升至所述第一坩埚转速。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据所述长度范围调整所述控制参数，还包括：

向硅熔体施加第一强度的水平磁场，并从所述第一强度按照预设速度逐步增强至第二强度。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，若第一阈值≤等径长度＜第二阈值，则所述根据所述长度范围调整所述控制参数，包括：

降低所述提拉速度至第二提拉速度，并降低所述晶转速度至第二晶转速度；

控制所述坩埚转速按照预设变化周期变化，所述预设变化周期包括从初始坩埚速度提升至第一坩埚转速，维持所述第一坩埚转速预设时间后恢复至所述初始坩埚转速，维持所述初始坩埚转速工作第二预设时间后再次提升至所述第一坩埚转速。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述根据所述长度范围调整所述控制参数，还包括：

将向硅熔体施加的水平磁场维持在第三强度。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，若第二阈值≤等径长度＜第三阈值，则所述根据所述长度范围调整所述控制参数，包括：

获取固液界面曲度和晶体直径；

根据所述固液界面曲度以及所述晶体直径调整所述控制参数使得所述固液界面曲度趋于平直。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述根据获取到所述固液界面曲度调整所述控制参数使得所述固液界面曲度趋于平直，包括：

若所述固液界面曲度为凸向熔体，则提升所述晶转速度至第三晶转速度，降低所述坩埚转速至第二坩埚转速；

若所述固液界面曲度为凹向熔体，则降低所述晶转速度至第四晶转速度，提高所述坩埚转速至第三坩埚转速；

根据所述晶体直径和获取到的提拉速度获取坩埚随动速度。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，若第三阈值≤等径长度≤第四阈值，所述第四阈值所述单晶硅棒的总长度，则所述根据所述长度范围调整所述控制参数，包括：

降低所述晶转速度至第五晶转速度；

维持所述提拉速度在目标提拉速度，维持所述坩埚转速在目标转速。

9.一种单晶硅棒拉取装置，其特征在于，所述装置包括存储器和处理器，所述存储器中存储有至少一条程序指令，所述处理器通过加载并执行所述至少一条程序指令以实现如权利要求1至8任一所述的方法。

10.一种计算机存储介质，其特征在于，所述计算机存储介质中存储有至少一条程序指令，所述至少一条程序指令被处理器加载并执行以实现如权利要求1至8任一所述的方法。