[发明专利]单晶硅棒拉取方法、装置和存储介质

说明书

本申请公开了一种单晶硅棒拉取方法、装置和存储介质，涉及光伏发电技术领域，所述方法包括：在晶体等径过程中，定时获取单晶硅棒的等径长度和拉取所述单晶硅棒的控制参数，所述控制参数包括：坩埚转速、晶转速度和提拉速度；确定所述等径长度所属的长度范围；根据所述长度范围调整所述控制参数，根据调整后所述控制参数控制所述单晶硅棒的拉取。解决了现有技术中通过切割来保证单晶硅棒的质量时，会浪费单晶硅材料的问题，达到了实时调整单晶硅棒的控制，进而降低掉苞的问题，达到了减少材料浪费的效果。

技术领域

本发明涉及一种单晶硅棒拉取方法、装置和存储介质，属于光伏发电技术领域。

背景技术

随着光伏发电技术的发展，对单晶硅需求越来越多。单晶硅生长过程中，若出现掉苞现象，则将会向单晶硅上面部分延伸，导致此次拉取晶棒失败，此时只能回熔二次提拉晶棒，而回炉需要经过单晶炉拆卸、降温等过程，造成时间和人工成本升高。

为解决上述拉晶过程中，由于掉苞原因导致拉取单晶硅失败的问题，许多企业在拉取单晶硅棒过程中，会计算已拉取单晶硅棒长度和时间，当拉取晶棒时间和长度达到一定比例，则采取提拉晶体去除尾料的方案，也即先将单晶硅棒拉取出来，再将出现掉苞部分的晶棒割掉，只保留符合质量要求的晶棒段。

发明内容

本发明的目的在于提供一种单晶硅棒拉取方法、装置和存储介质，用于解决现有技术中存在的问题。

为达到上述目的，本发明提供如下技术方案：

根据第一方面，本发明实施例提供了一种单晶硅棒拉取方法，所述方法包括：

在晶体等径过程中，定时获取单晶硅棒的等径长度和拉取所述单晶硅棒的控制参数，所述控制参数包括：坩埚转速、晶转速度和提拉速度；

确定所述等径长度所属的长度范围；

根据所述长度范围调整所述控制参数，根据调整后所述控制参数控制所述单晶硅棒的拉取。

可选的，若0≤等径长度＜第一阈值，则所述根据所述长度范围调整所述控制参数，包括：

将所述提拉速度从初始提拉速度提升至第一提拉速度，并将所述晶转速度从初始晶转速度提升至第一晶转速度；

控制所述坩埚转速按照预设变化周期变化，所述预设变化周期包括从初始坩埚速度提升至第一坩埚转速，维持所述第一坩埚转速预设时间后恢复至所述初始坩埚转速，维持所述初始坩埚转速工作第二预设时间后再次提升至所述第一坩埚转速。

可选的，所述根据所述长度范围调整所述控制参数，还包括：

向硅熔体施加第一强度的水平磁场，并从所述第一强度按照预设速度逐步增强至第二强度。

可选的，若第一阈值≤等径长度＜第二阈值，则所述根据所述长度范围调整所述控制参数，包括：

降低所述提拉速度至第二提拉速度，并降低所述晶转速度至第二晶转速度；

控制所述坩埚转速按照预设变化周期变化，所述预设变化周期包括从初始坩埚速度提升至第一坩埚转速，维持所述第一坩埚转速预设时间后恢复至所述初始坩埚转速，维持所述初始坩埚转速工作第二预设时间后再次提升至所述第一坩埚转速。

可选的，所述根据所述长度范围调整所述控制参数，还包括：

将向硅熔体施加的水平磁场维持在第三强度。

可选的，若第二阈值≤等径长度＜第三阈值，则所述根据所述长度范围调整所述控制参数，包括：

获取固液界面曲度和晶体直径；

根据所述固液界面曲度以及所述晶体直径调整所述控制参数使得所述固液界面曲度趋于平直。