[发明专利]半导体器件的形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供一衬底，所述衬底上所述半导体器件的有源区中形成有第一栅极结构和第二栅极结构，所述第一栅极结构从下而上依次包括第一栅极、第一硬掩模层和第二硬掩模层，所述第二栅极结构从下而上依次包括第二栅极、第三硬掩模层和第四硬掩模层，所述第一栅极结构之间形成有第一嵌入式外延层，所述第二栅极结构之间形成有第二嵌入式外延层，所述第一栅极和所述衬底之间形成有栅介电层，所述第二栅极和所述衬底之间形成有栅介电层，所述第一栅极结构和所述第二栅极结构的两侧形成有隔离层，所述第二栅极结构的高度高于所述第一栅极结构的高度；

形成刻蚀停止层，所述刻蚀停止层覆盖所述衬底、所述第一栅极结构、所述第一嵌入式外延层、所述第二栅极结构、所述第二嵌入式外延层和所述隔离层所暴露的表面；

在所述刻蚀停止层表面形成第一介电层，所述第一介电层高于所述第二栅极结构且填充所述第一栅极结构和所述第二栅极结构周侧的间隙；

进行第一次刻蚀，使所述第一介电层的高度低于所述第二硬掩模层的高度和所述第四硬掩模层的高度；

形成平坦化停止层，所述平坦化停止层覆盖所述第一介电层和所述第二硬掩模层、所述第四硬掩模层所暴露的表面；

去除第二区域的平坦化停止层，所述第二区域是所述有源区中形成所述第二栅极结构的区域；

形成第二介电层，所述第二介电层覆盖所述第一介电层、所述平坦化停止层和所述刻蚀停止层；

进行平坦化处理，直至所述平坦化停止层暴露；

进行第二次刻蚀，直至所述第一硬掩模层和所述第二硬掩模层暴露。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除第二区域的平坦化停止层，包括：

通过光刻工艺在除所述第二区域以外的其它区域覆盖光阻；

刻蚀去除所述第二区域的平坦化停止层；

去除所述光阻。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述平坦化停止层包括氮化硅层，所述刻蚀停止层包括碳氮化硅层；

所述刻蚀去除所述第二区域的平坦化停止层，包括：

通过湿法刻蚀工艺去除所述第二区域的平坦化停止层。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一介电层包括二氧化硅层。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第二介电层包括二氧化硅层。

6.根据权利要求1至5任一所述的方法，其特征在于，所述第一嵌入式外延层包括硅锗外延层。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第二嵌入式外延层包括硅磷外延层。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第一硬掩模层和所述第三硬掩模层包括氮化硅层。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述第二硬掩模层和所述第四硬掩模层包括二氧化硅层。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述隔离层包括碳氮氧化硅层。