[发明专利]形成纳米线器件的方法在审
| 申请号： | 202111293126.9 | 申请日： | 2011-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN114242763A | 公开（公告）日： | 2022-03-25 |
| 发明（设计）人： | K·J·库恩;S·金;R·里奥斯;S·M·赛亚;M·D·贾尔斯;A·卡佩尔拉尼;T·拉克什特;P·常;W·瑞驰梅迪 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/10;H01L29/165;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336;H01L27/092;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 卫李贤;曹正建 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 形成 纳米 器件 方法 | ||
1.一种形成纳米线器件的方法，包括：
在衬底上形成外延硅锗上外延硅的交替层；
通过蚀刻所述交替层形成多个鳍结构并在所述多个鳍结构附近形成沟槽；
在所述多个鳍结构上形成鳍间隔物；
执行第二沟槽蚀刻以使所述多个鳍结构的底部鳍区露出；
使所述底部鳍区氧化；
横跨和在所述多个鳍结构上形成多个间隔物，其中纳米线结构位于所述多个间隔物之间；
在所述多个间隔物之间的所述纳米线结构上形成牺牲栅电极；
从所述衬底上的源极/漏极区去除所述多个鳍结构的一部分，然后在所述源极/漏极区上形成源极/漏极结构，其中所述源极/漏极区位于所述多个间隔物附近；
从所述多个间隔物之间去除所述牺牲栅电极；以及
从位于所述多个间隔物之间的所述多个鳍结构中去除所述硅层。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，底部纳米线位于所述经氧化的底部鳍区上。
3.一种形成纳米线器件的方法，包括：
在衬底上形成外延硅锗上外延硅的交替层；
通过蚀刻所述交替层形成多个鳍结构并在所述多个鳍结构附近形成沟槽；
在所述沟槽中形成氧化物；
在所述多个鳍结构上形成鳍间隔物；
使所述底部鳍区氧化；
横跨和在所述多个鳍结构上形成多个间隔物，其中纳米线结构位于所述多个间隔物之间；
在所述多个间隔物之间的所述纳米线结构上形成牺牲栅电极；
从所述衬底上的源极/漏极区去除所述多个鳍结构的一部分，并随后在所述源极/漏极区上形成源极/漏极结构，其中所述源极/漏极区位于所述多个间隔物附近；
从所述多个间隔物之间去除所述牺牲栅电极；以及
从位于所述多个间隔物之间的所述多个鳍结构中去除所述外延硅层。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，底部纳米线位于所述经氧化的底部鳍区上。
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