[发明专利]声学装置双层覆膜工艺

权利要求书

1.一种声学装置双层覆膜制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1：提供电路组件，包括电路基板，具有相对的第一表面和第二表面，所述电路基板的第一表面设置有声学装置，所述声学装置与所述电路基板的第一表面围成中空结构；

S2：提供树脂片材组件，具有第一层树脂和第二层树脂，所述第一层树脂和所述第二层树脂层间结合，形成所述树脂片材组件；

S3：将所述树脂片材组件以所述第一层树脂面向所述声学装置的方向，配置于所述电路组件上，所述第二层树脂背向所述声学装置的方向；

S4：加热并朝向所述电路组件的方向按压所述树脂片材组件，然后固化，以使所述树脂片材组件覆盖所述声学装置的外表面，以及所述声学装置在所述电路基板的第一表面的投影区域之外的区域；

所述第一层树脂的第一玻璃化转变温度为135-140℃，所述第一层树脂在所述第一玻璃化转变温度下的第一线膨胀系数为100ppm/K以下，

所述第二层树脂的第二玻璃化转变温度大于30℃，所述第二层树脂在所述第二玻璃化转变温度下的第二线膨胀系数为100ppm/K以下；

所述第二层树脂的层厚大于所述第一层树脂的层厚，所述第二层树脂为多层结构，所述第二层树脂为包含导热填料与屏蔽填料的环氧树脂膜；

所述声学装置包括压电性氧化物单晶基板，通过氧化还原处理使得所述压电性氧化物单晶基板的厚度方向的电阻率为1×1010-1×1012Ω·cm之间，所述的氧化还原处理为：采用固体还原剂在居里温度以下的温度对所述压电性氧化物单晶基板进行还原处理；或者在常压下，惰性气体和还原性气体的混合气体氛围中，以350℃以上且居里温度以下的温度对所述压电性氧化物单晶基板进行热处理。

2.根据权利要求1所述的声学装置双层覆膜制造方法，其特征在于，所述第一层树脂为可塑性树脂，所述第二层树脂为密封性树脂。

3.根据权利要求1所述的声学装置双层覆膜制造方法，其特征在于，所述第一层树脂为可塑性树脂，所述第二层树脂为光固化树脂。

4.根据权利要求3所述的声学装置双层覆膜制造方法，其特征在于，所述第一层树脂的可塑性树脂，在步骤S4的加热温度下满足：粘度为50-150kPas。

5.根据权利要求3所述的声学装置双层覆膜制造方法，其特征在于，所述第一层树脂的可塑性树脂，在步骤S4的加热温度下满足：剪切弹性模量为1×10⁵Pa以上。

6.根据权利要求1所述的声学装置双层覆膜制造方法，其特征在于，所述第一层树脂的可塑性树脂，厚度在10um～100um之间。

7.根据权利要求1所述的声学装置双层覆膜制造方法，其特征在于，步骤S4中，加热温度为40℃以上且180℃以下。

8.根据权利要求2所述的声学装置双层覆膜制造方法，其特征在于，所述第二层树脂的密封性树脂，剪切弹性模量为1×10⁵Pa以上。

9.根据权利要求1所述的声学装置双层覆膜制造方法，其特征在于，所述第二层树脂固化后在厚度方向的热传导率小于在长度方向的热传导率。

10.根据权利要求1所述的声学装置双层覆膜制造方法，其特征在于，所述声学装置为多个，所述第一层树脂相应于多个所述声学装置，被分割为多个子片。