[发明专利]接合结构及其形成方法

权利要求书

1.一种接合结构，包括：

一第一基板；

一第二基板，与该第一基板相对设置；

一第一接合层，于该第一基板上；

一第二接合层，于该第二基板上并与该第一接合层相对设置；以及

一银部件，于该第一接合层与该第二接合层之间，其中该银部件包括一银纳米孪晶结构，且该银纳米孪晶结构具有一平行排列孪晶界，其中该银纳米孪晶结构包括90％以上的[111]结晶方位。

2.如权利要求1所述的接合结构，其中该银部件的厚度至少为1.0微米。

3.如权利要求1所述的接合结构，其中该银纳米孪晶结构的厚度至少为0.5微米。

4.如权利要求1所述的接合结构，其中该平行排列孪晶界的间距为1纳米至100纳米。

5.如权利要求1所述的接合结构，其中该银部件还包括：

一第一过渡晶粒层，于该第一接合层以及该银纳米孪晶结构之间；以及

一第二过渡晶粒层，于该第二接合层以及该银纳米孪晶结构之间。

6.如权利要求5所述的接合结构，其中该银部件包括70％以上的[111]结晶方位。

7.如权利要求1所述的接合结构，还包括：

一第一通孔，于该第一基板之中并连接该第一接合层；以及

一第二通孔，于该第二基板之中并连接该第二接合层。

8.如权利要求1所述的接合结构，其中该第一基板以及该第二基板各自包括硅芯片、硅晶圆或其组合。

9.如权利要求1所述的接合结构，其中该第一接合层以及该第二接合层各自包括铜、铝、银或其组合。

10.一种形成接合结构的方法，包括：

在一第一基板上形成一第一接合层；

在该第一接合层上形成一第一银部件；

在一第二基板上形成一第二接合层；

在该第二接合层上形成一第二银部件；以及

将该第一银部件与该第二银部件相对接合，以在该第一接合层与该第二接合层之间形成一第三银部件，其中该第三银部件包括一银纳米孪晶结构，且该银纳米孪晶结构具有一平行排列孪晶界，其中该银纳米孪晶结构具有90％以上的[111]结晶方位。

11.如权利要求10所述的形成接合结构的方法，其中该第三银部件的厚度至少为1.0微米、该银纳米孪晶结构的厚度至少为0.5微米以及该平行排列孪晶界的间距为1纳米至100纳米。

12.如权利要求10所述的形成接合结构的方法，其中形成该第一银部件以及该第二银部件的步骤包括溅镀或蒸镀。

13.如权利要求10所述的形成接合结构的方法，其中在100℃至250℃的温度下执行该第一银部件以及该第二银部件的接合。

14.如权利要求10所述的形成接合结构的方法，其中在1MPa至30MPa的压力下执行该第一银部件以及该第二银部件的接合。

15.如权利要求10所述的形成接合结构的方法，其中在真空度为10-3Torr以上执行该第一银部件以及该第二银部件的接合。

16.如权利要求10所述的形成接合结构的方法，其中该第一银部件以及该第二银部件的接合时间为10分钟至60分钟。

17.如权利要求10所述的形成接合结构的方法，还包括：

在该第一接合层以及该银纳米孪晶结构之间形成一第一过渡晶粒层；以及

在该第二接合层以及该银纳米孪晶结构之间形成一第二过渡晶粒层。