[发明专利]一种滤波器芯片的简化制备方法在审
| 申请号： | 202111302862.6 | 申请日： | 2021-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN113992175A | 公开（公告）日： | 2022-01-28 |
| 发明（设计）人： | 汪洋;刘亚娟;王小伟;王涛 | 申请（专利权）人： | 上海萍生微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H03H3/08 | 分类号： | H03H3/08 |
| 代理公司： | 上海助之鑫知识产权代理有限公司 31328 | 代理人： | 王风平 |
| 地址： | 201210 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 滤波器 芯片 简化 制备 方法 | ||
1.一种滤波器芯片的简化制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
步骤1：清洗压电材料；
步骤2：对压电材料进行一次金属化处理；
步骤3：将完成步骤2的压电材料经二氧化硅沉积、光刻、刻蚀、去胶处理；
步骤4：将完成步骤3的压电材料进行二次金属化处理；
步骤5：依次重复步骤3和步骤4，得到滤波器芯片的压电材料；
其中，步骤2和步骤4中，所述金属化处理包括以下步骤：
步骤a：涂胶
在压电材料表面均匀涂覆光刻胶；
步骤b：曝光及显影
通过曝光、显影后，在压电材料表面形成电极图形；
步骤c：镀膜
在压电材料表面镀铝膜；
步骤d：剥离
剥离压电材料表面的光刻胶以及光刻胶上镀的铝膜。
2.根据权利要求1所述的滤波器芯片的简化制备方法，其特征在于：步骤a中，通过旋涂机对压电材料的表面进行光刻胶的涂覆。
3.根据权利要求1所述的滤波器芯片的简化制备方法，其特征在于：步骤b中，通过曝光机及显影机依次完成曝光和显影作业。
4.根据权利要求1所述的滤波器芯片的简化制备方法，其特征在于：步骤c中，通过镀膜机在压电材料的表面镀铝膜，其中，铝膜溅射真空度为2*10-8Torr，氩气气压为0.3*103Toor，衬底负偏压-150V，溅射功率75W。
5.根据权利要求1所述的滤波器芯片的简化制备方法，其特征在于：步骤d中，通过超声清洗机剥离压电材料表面的光刻胶以及光刻胶上镀的铝膜。
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