[发明专利]一种滤波器芯片的简化制备方法

说明书

本发明涉及芯片制备技术领域，具体为一种滤波器芯片的简化制备方法，包括以下步骤：清洗压电材料；对压电材料进行一次金属化处理；将压电材料经二氧化硅沉积、光刻、刻蚀、去胶处理；将压电材料进行二次金属化处理；依次重复上述步骤得到滤波器芯片的压电材料；其中，金属化处理包括以下步骤：涂胶、曝光及显影、镀膜、剥离。该滤波器芯片的简化制备方法，在滤波器芯片制备过程中的多次金属化处理工艺上，均通过同一辅料、单一的工艺完成，不用频繁更换蒸发源和进行多次的工艺技术的辩护，杜绝了过多原辅料的申购、存放及工艺参数的复杂设定，降低生产难度，减少生产成本。

技术领域

本发明涉及芯片制备技术领域，具体为一种滤波器芯片的简化制备方法。

背景技术

现有的声表面滤波器芯片的表面图形化主要是指叉指换能器、叉指换能器保护层及汇流条(含叉指换能器的互联金属层)三方面。随着手机频率的不断增大，叉指换能器的线宽要求也越来越小(对光刻工艺技术要求越来越高)。同时SAW滤波器的频段一般在700MHz以上，叉指电极相对较薄，一般在0.1μm-0.5μm，这么薄的金属厚度，方块电阻较大。为了尽量减小器件的欧姆损耗，除了叉指换能器的功能区域外，需让换能器之间的互联金属和汇流条需尽量减小欧姆损耗。

因此，图形金属化过程中往往采用不同的金属源和不同的工艺方法进行，如在进行叉指换能器工艺加工的过程中采用磁控溅射和RIE刻蚀的方式进行，而汇流条及叉指换能器的互联金属层采用蒸镀和lift off剥离的方式进行，另外由于两次图形金属化的设计需求不同，金属源也不尽相同，但如此多的工艺制程往往使得工艺过程极为复杂，工艺良率较低，并且极大增加了芯片制造的工艺成本、维护成本和设备损耗，种种此类情况实际上对于滤波器的生产和造价都是极为消极的影响因素。鉴于此，我们提出一种滤波器芯片的简化制备方法。

发明内容

本发明的目的在于提供一种滤波器芯片的简化制备方法，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种滤波器芯片的简化制备方法，所述方法包括以下步骤：

步骤1：清洗压电材料；

步骤2：对压电材料进行一次金属化处理；

步骤3：将完成步骤2的压电材料经二氧化硅沉积、光刻、刻蚀、去胶处理；

步骤4：将完成步骤3的压电材料进行二次金属化处理；

步骤5：依次重复步骤3和步骤4，得到滤波器芯片的压电材料；

其中，步骤2和步骤4中，所述金属化处理包括以下步骤：

步骤a：涂胶

在压电材料表面均匀涂覆光刻胶；

步骤b：曝光及显影

通过曝光、显影后，在压电材料表面形成电极图形；

步骤c：镀膜

在压电材料表面镀铝膜；

步骤d：剥离

剥离压电材料表面的光刻胶以及光刻胶上镀的铝膜。

优选的，步骤a中，通过旋涂机对压电材料的表面进行光刻胶的涂覆。

优选的，步骤b中，通过曝光机及显影机依次完成曝光和显影作业。

优选的，步骤c中，通过镀膜机在压电材料的表面镀铝膜，其中，铝膜溅射真空度为2*10^-8Torr，氩气气压为0.3*10³Toor，衬底负偏压-150V，溅射功率75W。

优选的，步骤d中，通过超声清洗机剥离压电材料表面的光刻胶以及光刻胶上镀的铝膜。