[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

在衬底上的有源图案；

掩埋在所述有源图案的上部处的栅极结构；

在所述有源图案上的位线结构；

下间隔物结构，覆盖所述位线结构的下侧壁；

接触插塞结构，在所述有源图案上且与所述位线结构相邻；以及

在所述接触插塞结构上的电容器，

其中，

所述下间隔物结构包括从所述位线结构的所述下侧壁在基本平行于所述衬底的上表面的水平方向上顺序堆叠的第一下间隔物和第二下间隔物，

所述第一下间隔物包括氧化物，并接触所述位线结构的所述下侧壁，但不接触所述接触插塞结构，以及

所述第二下间隔物包括与所述第一下间隔物的任何材料不同的材料。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一下间隔物包括氧化物。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二下间隔物包括氮化物。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二下间隔物接触所述接触插塞结构。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

覆盖所述有源图案的隔离图案，

其中以下至少一个：(a)所述第二下间隔物接触所述有源图案，和(b)所述第二下间隔物接触所述隔离图案。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述位线结构包括在基本垂直于所述衬底的所述上表面的垂直方向上顺序堆叠的第一导电图案、扩散阻挡物、第二导电图案和覆盖图案，以及

所述第一导电图案包括具有n型杂质的多晶硅。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中所述第一下间隔物接触所述第一导电图案的侧壁。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

上间隔物结构，覆盖所述位线结构的上侧壁。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中所述上间隔物结构包括从所述位线结构的所述上侧壁在所述水平方向上顺序堆叠的第一上间隔物、第二上间隔物和第三上间隔物，以及

接触所述位线结构的所述上侧壁的所述第一上间隔物包括氮化物。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中所述第二上间隔物是包括空气的空气间隔物，以及

所述第三上间隔物包括氮化物。

11.根据权利要求9所述的半导体器件，其中所述第二上间隔物和所述第三上间隔物的上表面低于所述第一上间隔物的上表面。

12.一种半导体器件，包括：

在衬底上的有源图案；

掩埋在所述有源图案的上部处的栅极结构；

在所述有源图案上的位线结构，所述位线结构包括在基本垂直于所述衬底的上表面的垂直方向上顺序堆叠的第一导电图案、扩散阻挡物、第二导电图案和覆盖图案；

下间隔物结构，覆盖所述位线结构的所述第一导电图案的至少一部分的侧壁；

在所述下间隔物结构上的上间隔物结构，所述上间隔物结构覆盖所述位线结构的其他部分的侧壁；

在所述有源图案上并且与所述位线结构相邻的接触插塞结构；以及

在所述接触插塞结构上的电容器，

其中，

所述第一导电图案包括具有n型杂质的多晶硅，并且所述第二导电图案包括金属，

所述下间隔物结构包括从所述第一导电图案的所述至少一部分的所述侧壁在基本平行于所述衬底的上表面的水平方向上顺序堆叠的第一下间隔物和第二下间隔物，

所述第一下间隔物包括氧化物，并覆盖所述第一导电图案的所述至少一部分的所述侧壁，但不接触所述接触插塞结构，

所述第二下间隔物包括氮化物，并接触所述接触插塞结构，以及

所述位线结构的所述其他部分的所述侧壁包括氮化物。