[发明专利]发光显示装置及包括该发光显示装置的电子设备在审
申请号: | 202111306394.X | 申请日: | 2021-11-05 |
公开(公告)号: | CN114464652A | 公开(公告)日: | 2022-05-10 |
发明(设计)人: | 沈成斌;李成培;金文秀 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王萍;唐明英 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 显示装置 包括 电子设备 | ||
1.一种发光显示装置,包括:
发光元件,所述发光元件包括像素电极、公共电极以及介于所述像素电极与所述公共电极之间的发光层;以及
像素电路,所述像素电路电连接至所述发光元件的像素电极,
其中,所述像素电极包括:
第一像素电极部分;
与所述第一像素电极部分间隔开的第二像素电极部分;
连接至所述像素电路的电路接触部分;
在所述第一像素电极部分与所述电路接触部分之间连接或断开的第一电极连接部分;以及
在所述第二像素电极部分与所述电路接触部分之间连接或断开的第二电极连接部分。
2.根据权利要求1所述的发光显示装置,其中,所述第一电极连接部分和所述第二电极连接部分中的每一个以及所述电路接触部分设置在所述第一像素电极部分与所述第二像素电极部分之间。
3.根据权利要求1所述的发光显示装置,其中,所述第一电极连接部分的电阻高于所述第一像素电极部分的电阻,并且所述第二电极连接部分的电阻高于所述第二像素电极部分的电阻。
4.根据权利要求1所述的发光显示装置,其中,所述第一电极连接部分和所述第二电极连接部分中的每一个的尺寸朝向所述电路接触部分逐渐减小。
5.根据权利要求1所述的发光显示装置,其中,所述第一电极连接部分的长度对应于所述第一像素电极部分与所述电路接触部分之间的最短距离,并且所述第二电极连接部分的长度对应于所述第二像素电极部分与所述电路接触部分之间的最短距离。
6.根据权利要求1所述的发光显示装置,还包括:
包括在所述像素电路中的驱动薄膜晶体管;以及
设置在所述驱动薄膜晶体管与所述电路接触部分之间的至少一个绝缘膜,
其中,所述电路接触部分通过形成在所述至少一个绝缘膜中的接触孔与所述驱动薄膜晶体管的源/漏电极电连接。
7.根据权利要求6所述的发光显示装置,其中,所述第一电极连接部分包括从所述第一像素电极部分延伸的第一电极图案;
其中,所述第二电极连接部分包括从所述第二像素电极部分延伸的第一电极图案;以及
其中,所述第一电极连接部分和所述第二电极连接部分中的每一个包括:
从所述电路接触部分延伸的第二电极图案;
公共电极连接图案,所述公共电极连接图案被设置在所述第一电极图案与所述第二电极图案之间并且与所述第一电极图案与所述第二电极图案间隔开;
第一电极连接图案,所述第一电极连接图案将所述第一电极图案与所述公共电极连接图案电连接;以及
第二电极连接图案,所述第二电极连接图案与所述第一电极连接图案间隔开,并且将所述第二电极图案与所述公共电极连接图案电连接。
8.根据权利要求7所述的发光显示装置,其中,所述第一电极连接部分和所述第二电极连接部分中的每一个中的所述第一电极连接图案和所述第二电极连接图案被设置成在与所述驱动薄膜晶体管的源/漏电极相同的平面上彼此间隔开,
外涂层设置在所述第一电极连接图案和所述第二电极连接图案上,
与所述第一电极连接图案和所述第二电极连接图案交叠的所述第一电极图案和所述第二电极图案被设置成在所述外涂层上彼此间隔开,
堤层设置在所述第一电极图案和所述第二电极图案上,
所述发光层设置在所述堤层上,并且
所述公共电极和所述公共电极连接图案设置在所述发光层上。
9.根据权利要求8所述的发光显示装置,其中,所述第一电极图案通过形成在所述外涂层中的第一接触孔与所述第一电极连接图案电连接,并且
所述第二电极图案通过形成在所述外涂层中的第二接触孔与所述第二电极连接图案电连接。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于乐金显示有限公司,未经乐金显示有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111306394.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:容器镜像创建和部署
- 下一篇:内燃机的失火检测装置及方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的