[发明专利]太阳能电池制备方法

权利要求书

1.太阳能电池制备方法，其特征在于，包括：

获取单晶硅片；

在所述单晶硅片的表面形成吸杂层，其中所述吸杂层至少包括多晶硅层和/或掺磷硅层；

利用所述吸杂层对所述单晶硅片进行吸杂处理；

在所述吸杂处理结束后去除所述吸杂层；

在去除所述吸杂层后的所述单晶硅片的单侧表面形成发射极；

形成发射极后，在所述单晶硅片的表面分别形成钝化层。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池制备方法，其特征在于，所述表面包括第一表面；

所述吸杂层包括第一吸杂层，所述第一吸杂层形成在所述第一表面，所述第一吸杂层包括所述多晶硅层和所述掺磷硅层中至少一层。

3.根据权利要求2所述的太阳能电池制备方法，其特征在于，所述表面还包括与所述第一表面相对设置的第二表面；

所述吸杂层包括第二吸杂层，所述第二吸杂层形成在所述第二表面，所述第二吸杂层包括所述多晶硅层和所述掺磷硅层中至少一层。

4.根据权利要求2或3所述的太阳能电池制备方法，其特征在于，所述吸杂层包括多晶硅层和掺磷硅层；

所述多晶硅层位于所述掺磷硅层靠近所述单晶硅片的一侧，或者，所述掺磷硅层位于所述多晶硅层靠近所述单晶硅片的一侧。

5.根据权利要求1所述的太阳能电池制备方法，其特征在于，在形成所述吸杂层之前，对所述单晶硅片的表面进行刻蚀形成第一刻蚀面；

在所述第一刻蚀面上形成所述吸杂层。

6.根据权利要求5所述的太阳能电池制备方法，其特征在于，在去除所述吸杂层后且在形成所述发射极前，对所述单晶硅片表面进行二次刻蚀形成第二刻蚀面，在所述第二刻蚀面上形成所述发射极。

7.根据权利要求1所述的太阳能电池制备方法，其特征在于，去除所述吸杂层后，在形成所述发射极时使得所述单晶硅片的扩散方阻为R，70Ω≤R≤160Ω。

8.根据权利要求1所述的太阳能电池制备方法，其特征在于，利用低压化学气相沉积法设备沉积所述多晶硅层，沉积源包括SiH₄。

9.根据权利要求1所述的太阳能电池制备方法，其特征在于，所述多晶硅层的厚度为d，80nm≤d≤130nm。

10.根据权利要求1所述的太阳能电池制备方法，其特征在于，利用碱抛光处理去除所述吸杂层，所述碱抛光处理中对所述单晶硅片的刻蚀深度不小于所述吸杂层的厚度；

所述刻蚀深度为H，2μm≤H≤20μm。