[发明专利]太阳能电池制备方法

说明书

本发明公开了一种太阳能电池制备方法，包括获取单晶硅片；在单晶硅片的表面形成吸杂层，其中吸杂层至少包括多晶硅层和/或掺磷硅层；利用吸杂层对单晶硅片进行吸杂处理；在吸杂处理结束后去除吸杂层；在去除吸杂层后的单晶硅片的单侧表面形成发射极；形成发射极后，在单晶硅片的表面分别形成钝化层。本发明至少通过多晶硅层和/或掺磷硅层形成的吸杂层对单晶硅片进行吸杂，有效解决现有技术中由于硅片中杂质的存在，导致由硅片所制作的太阳能电池片的性能有所降低的问题。

技术领域

本发明涉及太阳能电池技术领域，更具体地，涉及一种太阳能电池制备方法。

背景技术

目前，在所有的太阳能电池中，晶体硅太阳能电池是得到大范围商业推广的太阳能电池之一，但是在利用硅片制作太阳能电池片过程中，并没有对硅片进行吸杂处理，由于硅片中杂质的存在，导致由硅片所制作的太阳能电池片的性能有所降低，因此需要在制作太阳能电池片的过程中对硅片进行除杂。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种太阳能电池制备方法，至少通过多晶硅层和/或掺磷硅层形成的吸杂层对单晶硅片进行吸杂，有效解决现有技术中由于硅片中杂质的存在，导致由硅片所制作的太阳能电池片的性能有所降低的问题。

本发明提供一种太阳能电池制备方法，包括

获取单晶硅片；

在所述单晶硅片的表面形成吸杂层，其中所述吸杂层至少包括多晶硅层和/或掺磷硅层；

利用所述吸杂层对所述单晶硅片进行吸杂处理；

在所述吸杂处理结束后去除所述吸杂层；

在去除所述吸杂层后的所述单晶硅片的单侧表面形成发射极；

形成发射极后，在所述单晶硅片的表面分别形成钝化层。

在一些可选的实施例中，所述表面包括第一表面；所述吸杂层包括第一吸杂层，所述第一吸杂层形成在所述第一表面，所述第一吸杂层包括所述多晶硅层和所述掺磷硅层中至少一层。

在一些可选的实施例中，所述表面还包括与所述第一表面相对设置的第二表面；

所述吸杂层包括第二吸杂层，所述第二吸杂层形成在所述第二表面，所述第二吸杂层包括所述多晶硅层和所述掺磷硅层中至少一层。

在一些可选的实施例中，所述吸杂层包括多晶硅层和掺磷硅层；

所述多晶硅层位于所述掺磷硅层靠近所述单晶硅片的一侧；

所述掺磷硅层位于所述多晶硅层靠近所述单晶硅片的一侧；

或者，所述掺磷硅层和所述多晶硅层至少部分同层。

在一些可选的实施例中，在形成所述吸杂层之前，对所述单晶硅片的表面进行刻蚀形成第一刻蚀面；

在所述第一刻蚀面上形成所述吸杂层。

在一些可选的实施例中，在去除所述吸杂层后且在形成所述发射极前，对所述单晶硅片表面进行二次刻蚀形成第二刻蚀面，在所述第二刻蚀面上形成所述发射极。

在一些可选的实施例中，去除所述吸杂层后，在形成所述发射极时使得所述单晶硅片的扩散方阻为R，70Ω≤R≤160Ω。

在一些可选的实施例中，利用低压化学气相沉积法设备沉积所述多晶硅层，沉积源包括SiH₄。

在一些可选的实施例中，所述多晶硅层的厚度为d，80nm≤d≤130nm。

在一些可选的实施例中，利用碱抛光处理去除所述吸杂层，所述碱抛光处理中对所述单晶硅片的刻蚀深度不小于所述吸杂层的厚度；

所述刻蚀深度为H，2μm≤H≤20μm。