[发明专利]一种三维板级扇出型封装结构及其制作方法

权利要求书

1.一种三维板级扇出型封装结构的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1，取一承载片，在该承载片的正面和背面分别通过粘合层粘接上铜箔，形成复合载板；

S2，在复合载板的正面和背面分别制作导电结构；

S3，取芯片一，并在芯片一的焊盘上制作导电凸点；

S4，在复合载板的正面和背面贴装步骤S3的芯片一，芯片一的导电凸点朝外；

S5，在复合载板的正面和背面分别形成包覆导电结构和带有导电凸点的芯片一的塑封层，并对塑封层进行减薄，直至露出导电结构的接口和导电凸点的接口；

S6，在复合载板的两面的塑封层表面分别制作至少一层重布线层，且在每层重布线层上覆盖一层具有导通开孔的绝缘介质层；重布线层将导电结构的接口与芯片一的导电凸点的接口连通，并将信号导出；

S7，将位于中间的承载片、承载片上的粘合层去除，得到两个封装半成品结构；

S8，在封装半成品结构的芯片一的背面分别制作至少一层重布线层，且在每层重布线层上覆盖一层具有导通开孔的绝缘介质层；

S9，在步骤S6形成的最外层的绝缘介质层的导通开孔处制作信号导出结构，在步骤S8形成的最外层的绝缘介质层的导通开孔处形成电连接结构；

S10，将芯片二倒装在电连接结构上；

S11，对芯片二利用外塑封保护层进行包裹，得到该三维板级扇出型封装结构。

2.根据权利要求1所述的一种三维板级扇出型封装结构的制作方法，其特征在于，所述承载片为硅、玻璃、金属或有机材料的片体。

3.根据权利要求1所述的一种三维板级扇出型封装结构的制作方法，其特征在于，所述导电结构为导电柱、导电凸块或其他导电结构，且导电结构的材料为铜、铜合金、钛、钛合金中的一种或两种及以上的组合，其通过光刻-显影-金属沉积工艺或微压印-金属沉积工艺制作而成。

4.根据权利要求1所述的一种三维板级扇出型封装结构的制作方法，其特征在于，所述塑封层采用板级塑封或双面压膜的塑封方式形成。

5.根据权利要求1所述的一种三维板级扇出型封装结构的制作方法，其特征在于，所述重布线层的材料为铝、铜、金、铂、镍、锡中的一种或两种及以上的组合，其通过光刻或蚀刻工艺以及沉积工艺制作而成。

6.根据权利要求1所述的一种三维板级扇出型封装结构的制作方法，其特征在于，所述绝缘介质层的材料为环氧树脂或氧化硅绝缘材料。

7.根据权利要求1所述的一种三维板级扇出型封装结构的制作方法，其特征在于，所述信号导出结构包括焊盘和焊球，焊盘位于绝缘介质层的导通开孔中，焊球位于焊盘上。

8.根据权利要求1所述的一种三维板级扇出型封装结构的制作方法，其特征在于，所述电连接结构包括凸块下金属层和位于凸块下金属层上的电连接器，凸块下金属层与重布线层电性连接，电连接器与芯片二的焊盘电性连接。

9.根据权利要求1所述的一种三维板级扇出型封装结构的制作方法，其特征在于，在步骤S10中，还通过底部填胶工艺在芯片二与绝缘介质层之间形成底胶，对芯片二的焊盘和电连接结构进行包裹。

10.一种三维板级扇出型封装结构，其特征在于，包括塑封层，所述塑封层内塑封有芯片一和导电结构；塑封层的正面和背面上分别设有至少一层重布线层；每层重布线层上覆盖有一层具有导通开孔的绝缘介质层；重布线层与芯片一以及导电结构电性连接；塑封层的正面上的最外层的绝缘介质层的导通开孔处设有信号导出结构；信号导出结构与重布线层电性连接；塑封层的背面上的最外层的绝缘介质层的导通开孔处设有电连接结构，电连接结构与重布线层电性连接；电连接结构上安装有芯片二；芯片二与绝缘介质层之间设有底胶；芯片二外设有外塑封保护层。