[发明专利]一种三维板级扇出型封装结构及其制作方法

说明书

本发明公开了一种三维板级扇出型封装结构及其制作方法，制作方法包括如下步骤：在承载片的正面和背面分别粘接上铜箔，形成复合载板；在复合载板上制作导电结构；在芯片一的焊盘上制作导电凸点；在复合载板上贴装芯片一；在复合载板上形成包覆导电结构和芯片一的塑封层；在塑封层表面分别制作重布线层和绝缘介质层；将承载片去除，得到封装半成品结构；在封装半成品结构的芯片一的背面分别制作重布线层和绝缘介质层；在封装半成品结构上制作信号导出结构和电连接结构；将芯片二倒装在电连接结构上，并利用外塑封保护层进行包裹，得到三维板级扇出型封装结构。本发明可以有效改善加工所产生的翘曲问题，又可以实现多功能集成以及降低加工成本。

技术领域

本发明涉及半导体芯片封装技术领域，特别涉及一种三维板级扇出型封装结构及其制作方法。

背景技术

随着消费性电子产品对可携式及多功能要求的日益严格，整合更多功能、提升产品效能、薄型化以及降低制造成本逐渐成为终端产品及行业厂商智能化的发展方向。扇出型封装结构作为晶圆级封装的一种，它的出现极大地增加了封装体I/O数量，契合了芯片多功能化的发展方向，但由于其加工成本较高，对大规模量产具有一定的阻碍性。

因此，有必要提出一种可以容纳更多I/O数、减小芯片尺寸和厚度、整合更多异质芯片达到封装小型化需求，且能够有效降低生产成本，提高生产效率，最终应用于消费性、高速运算和专业性电子产品等应用的封装结构。现有的封装结构加工成本高，也不能满足多功能以及其他应用要求，且由于材料之间性能差异容易造成弯曲、尺寸不稳定等现象。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明的目的在于提供一种芯片的扇出型超薄封装结构及其制作方法。该制作方法形成的封装结构可以有效改善面板级加工产生的翘曲问题，又可以集成多颗芯片，实现多功能集成，可以极大地降低加工成本以及提高产能。

为实现上述技术目的，达到上述技术效果，本发明通过以下技术方案实现：

一种三维板级扇出型封装结构的制作方法，包括如下步骤：

S1，取一承载片，在该承载片的正面和背面分别通过粘合层粘接上铜箔，形成复合载板；

S2，在复合载板的正面和背面分别制作导电结构；

S3，取芯片一，并在芯片一的焊盘上制作导电凸点；

S4，在复合载板的正面和背面贴装步骤S3的芯片一，芯片一的导电凸点朝外；

S5，在复合载板的正面和背面分别形成包覆导电结构和带有导电凸点的芯片一的塑封层，并对塑封层进行减薄，直至露出导电结构的接口和导电凸点的接口；

S6，在复合载板的两面的塑封层表面分别制作至少一层重布线层，且在每层重布线层上覆盖一层具有导通开孔的绝缘介质层；重布线层将导电结构的接口与芯片一的导电凸点的接口连通，并将信号导出；

S7，将位于中间的承载片、承载片上的粘合层去除，得到两个封装半成品结构；

S8，在封装半成品结构的芯片一的背面分别制作至少一层重布线层，且在每层重布线层上覆盖一层具有导通开孔的绝缘介质层；

S9，在步骤S6形成的最外层的绝缘介质层的导通开孔处制作信号导出结构，在步骤S8形成的最外层的绝缘介质层的导通开孔处形成电连接结构；

S10，将芯片二倒装在电连接结构上；

S11，对芯片二利用外塑封保护层进行包裹，得到该三维板级扇出型封装结构。

进一步地，所述承载片为硅、玻璃、金属或有机材料的片体。

进一步地，所述导电结构为导电柱、导电凸块或其他导电结构，且导电结构的材料为铜、铜合金、钛、钛合金中的一种或两种及以上的组合，其通过光刻-显影-金属沉积工艺或微压印-金属沉积工艺制作而成。