[发明专利]半导体器件结构及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体器件结构的制备方法，其特征在于，包括：

提供基底；

于所述基底内形成沟槽；

于所述沟槽内形成分裂栅结构，所述分裂栅结构包括虚拟分裂栅结构及引出部，所述引出部位于所述虚拟分裂栅结构的上表面；所述引出部的上表面与所述沟槽的上表面相平齐。

2.根据权利要求1所述的半导体器件结构的制备方法，其特征在于，所述基底包括由下至上依次层叠的衬底及外延层；所述沟槽位于所述外延层内。

3.根据权利要求2所述的半导体器件结构的制备方法，其特征在于，所述于所述沟槽内形成分裂栅结构，包括：

于所述沟槽的表面及所述外延层的上表面形成分裂栅氧化材料层；

于所述分裂栅氧化材料层的表面形成虚拟栅极材料层，所述虚拟栅极材料层填满所述沟槽；

去除位于所述外延层上表面的所述分裂栅氧化材料层及位于所述外延层上的虚拟栅极材料层，并对保留的所述虚拟栅极材料层进行回刻，以得到虚拟栅极及所述引出部；所述引出部位于所述虚拟栅极的上表面。

4.根据权利要求3所述的半导体器件结构的制备方法，其特征在于，所述形成虚拟栅极之后还包括：

采用湿法刻蚀去除部分所述分裂栅氧化材料层，以得到分裂栅氧化层，所述分裂栅氧化层及所述虚拟栅极共同构成所述虚拟分裂栅结构。

5.根据权利要求2所述的半导体器件结构的制备方法，其特征在于，所述于所述沟槽内形成分裂栅结构之后，还包括：

于所述虚拟分裂栅结构的上表面及所述引出部的侧壁形成有效栅结构；

于所述有效栅结构上形成填充氧化层，所述填充氧化层填满所述沟槽。

6.根据权利要求5所述的半导体器件结构的制备方法，其特征在于，所述于所述分裂栅结构的表面形成有效栅结构包括：

于所述分裂栅结构的表面、所述沟槽的侧壁及所述外延层的上表面形成有效栅氧化材料层；

于所述有效栅氧化材料层的表面形成初始有效栅极材料层；

去除位于所述外延层上表面的所述有效栅氧化材料层及位于所述外延层上的所述初始有效栅极材料层，并去除位于所述引出部上表面的所述有效栅氧化材料层及位于所述引出部上的所述初始有效栅极材料层，以得到有效栅氧化层及有效栅极材料层；所述有效栅极材料层位于所述引出部的两侧；

刻蚀所述有效栅极材料层，以得到有效栅极；所述有效栅极位于所述填充氧化层的两侧；所述有效栅极及所述有效栅氧化层共同构成有效栅结构。

7.根据权利要求5所述的半导体器件结构的制备方法，其特征在于，形成填充氧化层之后，还包括：

形成体区，所述体区位于所述外延层内，且位于相邻的所述沟槽之间；

于所述体区的上表面形成源区，所述源区位于所述外延层内；

于所述填充氧化层的上表面、所述有效栅结构的上表面及所述外延层上表面形成隔离氧化层；

形成接触孔，所述接触孔包括分裂栅接触孔、源极接触孔及栅极接触孔，所述源极接触孔贯穿所述隔离氧化层及所述源区；所述分裂栅接触孔贯穿所述隔离氧化层，以暴露出所述引出部；所述栅极接触孔贯穿所述隔离氧化层，以暴露出所述有效栅极；

于所述隔离氧化层的表面形成金属电极层，所述金属电极层填满所述接触孔；所述金属电极层经由所述分裂栅接触孔与所述引出部电气连接；所述金属电极层经由所述源极接触孔与所述体区电气连接；所述金属电极层经由所述栅极接触孔与所述有效栅结构电气连接。

8.一种半导体器件结构，其特征在于，包括：

基底；

沟槽，位于所述基底内；

分裂栅结构，位于所述沟槽内；所述分裂栅结构包括虚拟分裂栅结构及引出部，所述引出部位于所述虚拟分裂栅结构的上表面；所述引出部的上表面与所述沟槽的上表面相平齐。

9.根据权利要求8所述的半导体器件结构，其特征在于，所述基底包括衬底及外延层，所述外延层位于所述衬底的上表面；所述沟槽位于所述外延层内。