[发明专利]判决电平预测方法、存储介质及SSD设备有效
申请号: | 202111317083.3 | 申请日: | 2021-11-09 |
公开(公告)号: | CN114020573B | 公开(公告)日: | 2022-06-07 |
发明(设计)人: | 秦东润;刘晓健;王嵩 | 申请(专利权)人: | 北京得瑞领新科技有限公司 |
主分类号: | G06F11/30 | 分类号: | G06F11/30 |
代理公司: | 北京慧智兴达知识产权代理有限公司 11615 | 代理人: | 李丽颖 |
地址: | 100192 北京市海淀区西小口路66*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 判决 电平 预测 方法 存储 介质 ssd 设备 | ||
1.一种判决电平预测方法,其特征在于,所述方法包括:
当进行数据读取时,获取存储单元的使用状态信息、读数据温度和写数据温度,读数据温度为存储单元的当前温度,写数据温度为数据写入时所述存储单元的温度,所述使用状态信息包括等效驻留时间,所述获取存储单元的使用状态信息、读数据温度和写数据温度包括:查找预设的信息记录表以获取所述存储单元的写数据记录,所述写数据记录中包括存储单元的存储位置、写数据温度以及数据写入时的写数据时间;根据所述存储位置向存储颗粒获取所述存储单元的实时温度,或获取存储颗粒当前所处工作环境的实时温度;将存储单元的实时温度或所处工作环境的实时温度作为读数据温度,并根据当前时间、读数据温度、写数据温度和写数据时间计算从写数据时间到当前时间的等效驻留时间;
根据所述使用状态信息预测所述存储单元的判决电平;
根据读数据温度和写数据温度确定判决电平补偿值,并根据所述判决电平补偿值对预测出的判决电平进行修正。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述根据当前时间、读数据温度、写数据温度和写数据时间计算从写数据时间到当前时间的等效驻留时间,包括:
采用预设的计算模型计算从写数据时间到当前时间的等效驻留时间,计算模型如下:
其中,Retention(i)表示ti时刻的等效驻留时间,tj表示存储单元的温度信息获取时间,j=0、1、2、…;AF表示ti时刻至ti-1时刻的加速因子,该加速因子计算公式如下:
其中,Ea表示存储单元的活化能;kB表示波尔兹曼常数;Ti表示第ti时刻存储单元的温度,Ti-1表示ti-1时刻存储单元的温度。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,根据所述存储位置向存储颗粒获取所述存储单元的实时温度,包括:
根据预设的温度获取周期周期性地向存储颗粒发送温度查询请求,接收所述存储颗粒返回的所包含的全部存储位置的实时温度,从全部存储位置的实时温度中查找所述存储位置的实时温度;或
根据预设的温度获取周期周期性地向存储颗粒发送温度查询请求,所述温度查询请求中携带所述存储位置,接收所述存储颗粒返回的所述存储位置的实时温度。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述根据所述存储位置向存储颗粒获取所述存储单元的实时温度,包括:
向存储颗粒发送温度上报指示信息,所述温度上报指示信息中携带所述存储位置和触发温度上报的温度分辨率,接收所述存储颗粒在所述存储位置的温度变化超过所述温度分辨率时返回的实时温度。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述使用状态信息包括等效驻留时间和擦写次数;
所述根据使用状态信息预测所述存储单元的判决电平包括:
根据等效驻留时间和擦写次数预测所述存储单元的判决电平。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述根据读数据温度和写数据温度确定判决电平补偿值包括:
计算写数据温度值和预设的补偿对标温度的写数据温度差,查找预设的第一对应关系表获取与所述写数据温度差对应的写验证电平补偿值;所述第一对应关系表中包括有写数据温度差与写验证电平补偿值之间的对应关系;
计算读数据温度值和预设的补偿对标温度的读数据温度差,查找预设的第二对应关系表获取与所述读数据温度差对应的默认判决电平补偿值;所述第二对应关系表中包括有读数据温度差与默认判决电平补偿值之间的对应关系;
将写验证电平补偿值和默认判决电平补偿值的加总值作为判决电平补偿值。
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