[发明专利]多层电子组件及其制造方法在审
| 申请号： | 202111319223.0 | 申请日： | 2021-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN114551102A | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 郑在勋;罗炫雄;车润聢 | 申请（专利权）人： | 三星电机株式会社 |
| 主分类号： | H01G4/30 | 分类号： | H01G4/30;H01G4/012 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 王锐;何巨 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多层 电子 组件 及其 制造 方法 | ||
1.一种多层电子组件，包括：
主体，包括介电层以及与所述介电层交替设置的内电极；以及
外电极，设置在所述主体上并连接到所述内电极，
其中，包含Sn和Ni的复合层设置在所述内电极和所述介电层之间的界面处，
其中，所述内电极包括中央部以及在所述复合层和所述内电极的所述中央部之间的界面部，其中，所述界面部包括陶瓷添加剂。
2.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述界面部是从所述复合层和所述内电极之间的界面到所述内电极的厚度的1/3的深度的区域。
3.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述陶瓷添加剂占所述界面部的5面积％至15面积％。
4.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述中央部中的所述陶瓷添加剂的面积％小于或等于所述界面部中的所述陶瓷添加剂的面积％的1/2。
5.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述复合层的Sn浓度大于或等于所述中央部的Sn浓度的5倍。
6.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述复合层以Ni3Sn的形式包含Sn和Ni。
7.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述陶瓷添加剂包括BaTiO3。
8.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述内电极包含Ni作为主成分。
9.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述复合层的平均厚度为10nm至30nm。
10.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述内电极的平均厚度小于或等于0.41μm。
11.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述介电层的平均厚度小于或等于0.41μm。
12.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述内电极的内电极连接度大于或等于85％，所述内电极连接度为实际形成所述内电极的部分的长度与所述内电极的总长度的比。
13.一种制造多层电子组件的方法，包括以下操作：
制备陶瓷生片；
将用于内电极的膏涂覆到所述陶瓷生片以形成内电极图案；
通过堆叠形成有所述内电极图案的所述陶瓷生片来形成层叠体；
初次烧制所述层叠体；
二次烧制被初次烧制的层叠体；
烧结被二次烧制的层叠体以形成包括介电层和内电极的主体；以及
在所述主体上形成外电极，
其中，用于所述内电极的所述膏包含Sn粉末颗粒、陶瓷添加剂和导电粉末颗粒，
其中，所述导电粉末颗粒具有核-壳结构，所述核包含Ni，所述壳包含Ni、S和O。
14.根据权利要求13所述的制造多层电子组件的方法，其中，所述导电粉末颗粒的平均尺寸小于100nm。
15.根据权利要求13所述的制造多层电子组件的方法，其中，所述壳包含1000ppm至2000ppm的S。
16.根据权利要求13所述的制造多层电子组件的方法，其中，Ni-O设置在所述壳的表面上。
17.根据权利要求13所述的制造多层电子组件的方法，其中，与100wt％的所述导电粉末颗粒相比，所述Sn粉末颗粒为0.3wt％至1.0wt％。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电机株式会社，未经三星电机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111319223.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：流量控制装置、流量控制方法以及程序存储介质
- 下一篇：加工装置
