[发明专利]倒装晶片封装工艺及倒装晶片封装结构有效
申请号: | 202111319650.9 | 申请日: | 2021-11-09 |
公开(公告)号: | CN114220896B | 公开(公告)日: | 2022-09-23 |
发明(设计)人: | 周波;何至年;吴学坚 | 申请(专利权)人: | 深圳市佑明光电有限公司 |
主分类号: | H01L33/46 | 分类号: | H01L33/46;H01L33/50;H01L33/54;H01L33/62 |
代理公司: | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人: | 汪海琴 |
地址: | 518000 广东省深圳市光明*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 倒装 晶片 封装 工艺 结构 | ||
1.一种倒装晶片封装工艺,其特征在于,包括以下步骤:
点胶:将若干倒装晶片分别粘贴于基板上,在若干所述倒装晶片之间进行导光胶点胶并加热固化;
切割:通过无水切割方式切割所述导光胶以形成若干个带导光胶晶片;
固晶:将所述带导光胶晶片固定于封装杯中;
形成反射层:在所述带导光胶晶片的一周侧面填充白色反光胶以形成反射层;
形成荧光层:在所述带导光胶晶片及所述白色反光胶的上方填充荧光胶以形成荧光层;
在所述点胶步骤中,还包括在所述基板上设置粘贴膜,所述粘贴膜包括基层及设于所述基层相对两侧的第一胶带和第二胶带,所述第一胶带粘贴于所述基板上,各所述倒装晶片分别粘贴于所述第二胶带;
所述第二胶带的表面拓印有高低不同的三角形漫反射结构;
在所述切割步骤中,切割后所述带导光胶晶片的表面具有经过三角形漫反射结构拓印形成的漫反射层;
所述漫反射结构的粗糙度参数为Ra>1.5,Rz>6。
2.根据权利要求1所述的倒装晶片封装工艺,其特征在于,所述点胶步骤包括:
将若干所述倒装晶片均匀分布于所述基板上;
在若干所述倒装晶片的外围进行围坝;
在所述围坝与若干所述倒装晶片之间进行导光胶点胶并加热固化。
3.根据权利要求1所述的倒装晶片封装工艺,其特征在于,在所述点胶步骤中,相邻两个所述倒装晶片之间的间距大于或等于所述倒装晶片长度的一半。
4.根据权利要求1所述的倒装晶片封装工艺,其特征在于,所述倒装晶片包括晶片本体及设于所述晶片本体一侧的电极;
在所述点胶步骤中,将所述倒装晶片以所述电极朝上的方式粘贴于所述基板上,且点胶的高度小于或等于所述晶片本体的高度。
5.根据权利要求1所述的倒装晶片封装工艺,其特征在于,在所述切割步骤中,在相邻两个所述倒装晶片的中间位置进行切割。
6.根据权利要求1所述的倒装晶片封装工艺,其特征在于,在所述切割步骤中,切割的深度至少延伸至所述基层的一半厚度。
7.根据权利要求1所述的倒装晶片封装工艺,其特征在于,在所述切割步骤与所述固晶步骤之间还包括以下步骤:
倒模,将所述带导光胶晶片以漫反射层朝上的方式倒在基膜上;
转移,通过转移装置将所述带导光胶晶片转移至所述封装杯上。
8.根据权利要求1所述的倒装晶片封装工艺,其特征在于,在所述形成反射层步骤中:所述白色反光胶的顶面低于所述带导光胶晶片的漫反射层。
9.根据权利要求1所述的倒装晶片封装工艺,其特征在于,所述形成荧光层步骤包括:
将荧光胶搅拌均匀;
通过点胶的方式将所述荧光胶填充于所述反射层及所述漫反射层上;
通过离心的方式将荧光胶进行沉淀;
将沉淀后的荧光胶加热固化。
10.倒装晶片封装结构,其特征在于,使用根据权利要求1至9任一项所述的倒装晶片封装工艺制成;
所述倒装晶片封装结构包括:
封装杯;
带导光胶晶片,安装于所述封装杯中;所述带导光胶晶片包括倒装晶片及围设于所述倒装晶片一周侧面的导光胶;所述导光胶的纵向截面呈直角梯形,所述直角梯形的较长底边与所述倒装晶片的侧面贴合设置,所述直角梯形的较短底边背离所述倒装晶片设置,所述直角梯形的直角腰与所述倒装晶片的顶侧平齐;
反射层,填充于所述封装杯的内壁、所述导光胶与所述倒装晶片之间;
荧光层,填充于所述反射层、所述导光胶及所述倒装晶片的上方。
11.根据权利要求10中所述的倒装晶片封装结构,其特征在于,所述倒装晶片包括晶片本体及设于所述晶片本体一侧的电极;所述倒装晶片以所述电极朝下的方式固定于所述封装杯中,所述直角梯形的底端与所述晶片本体的下侧平齐或者高于所述晶片本体的下侧。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市佑明光电有限公司,未经深圳市佑明光电有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111319650.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。