[发明专利]二维半导体电致发光装置及其制备方法

权利要求书

1.一种二维半导体电致发光装置，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底包括第一主表面，所述第一主表面位于所述衬底的厚度方向上的一侧；

电极层，所述电极层设在所述第一主表面上，所述电极层包括多个第一电极体和多个第二电极体，多个所述第一电极体沿所述衬底的横向间隔布置，多个所述第二电极体沿所述衬底的横向间隔布置，多个所述第一电极体和多个所述第二电极体沿所述衬底的横向交错布置，相邻的所述第一电极体和所述第二电极体在所述衬底的横向上间隔开，所述第一电极体和所述第二电极体的极性相反；

二维半导体层，所述二维半导体层设在所述电极层在所述衬底的厚度方向上远离所述衬底的一侧；和

介电层，所述介电层的至少部分在所述衬底的厚度方向上位于所述二维半导体层和所述电极层之间，以隔开所述电极层和所述二维半导体层。

2.根据权利要求1所述的二维半导体电致发光装置，其特征在于，所述第一电极体中的每一者的长度方向与所述衬底的纵向一致，

所述第二电极体中的每一者的长度方向与所述衬底的纵向一致。

3.根据权利要求1所述的二维半导体电致发光装置，其特征在于，还包括第一连接部和第二连接部，所述第一连接部和所述第二连接部在所述衬底的纵向上相对设置，

所述第一连接部与所述多个第一电极体中的每一者相连，所述第二连接部与所述多个第二连接部中的每一者相连。

4.根据权利要求1所述的二维半导体电致发光装置，其特征在于，相邻的所述第一电极体和所述第二电极体在所述衬底的横向上间隔第一预设距离，所述第一预设距离大于等于100nm且小于等于1000nm。

5.根据权利要求1所述的二维半导体电致发光装置，其特征在于，所述第一电极体和所述第二电极体在所述衬底的厚度方向上的尺寸大于等于20nm且小于等于200nm。

6.根据权利要求1所述的二维半导体电致发光装置，其特征在于，所述介电层在所述衬底的厚度方向上的尺寸大于等于20nm且小于等于200nm。

7.一种如权利要求1-6中任一项所述的二维半导体电致发光装置的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

在衬底上制备电极层；

在所述电极层的上方制备介电层；

在所述介电层的上方制备二维半导体层。

8.根据权利要求7所述的二维半导体电致发光装置的制备方法，其特征在于，所述在衬底上制备电极层包括：

利用紫外曝光和热蒸镀的方法在所述衬底上制备所述电极层；

利用抬离的工艺去除所述衬底上的杂质。

9.根据权利要求7所述的二维半导体电致发光装置的制备方法，其特征在于，所述在所述电极层的上方制备介电层包括：

利用原子层沉积的方法在所述电极层的顶部设置介电层，

或者，利用等离子体增强的化学气相沉积的方法在所述电极层的顶部设置介电层。

10.根据权利要求7-9中任一项所述的二维半导体电致发光装置的制备方法，其特征在于，所述在所述介电层的顶部制备二维半导体层包括：利用超声剥离的方法制备出二维半导体材料，

利用旋涂的方法将所述二维半导体材料设置在所述介电层的顶部，以形成所述二维半导体层；

或者，利用化学气相沉积的方法在所述介电层的顶部制备所述二维半导体层。