[发明专利]二维半导体电致发光装置及其制备方法

说明书

本发明公开了一种二维半导体电致发光装置及其制备方法，所述二维半导体电致发光装置包括：衬底，衬底包括第一主表面；电极层，电极层设在第一主表面上，电极层包括多个第一电极体和多个第二电极体，多个第一电极体沿衬底的横向间隔布置，多个第二电极体沿衬底的横向间隔布置，多个第一电极体和多个第二电极体沿衬底的横向交错布置，相邻的第一电极体和第二电极体在衬底的横向上间隔开，第一电极体和第二电极体的极性相反；二维半导体层，二维半导体层设在电极层在衬底的厚度方向上远离衬底的一侧；介电层，介电层的至少部分在衬底的厚度方向上位于二维半导体层和电极层之间。本发明的二维半导体电致发光装置具有发光效率高的优点。

技术领域

本发明涉及电致发光装置的技术领域，具体地，涉及一种二维半导体电致发光装置及其制备方法。

背景技术

二维半导体发光装置具有良好的光电反应速度，被广泛的应用于显示设备。在相关技术中，二维半导体发光装置通过电极向二维半导体材料施加交变电压，进而使二维半导体材料发光，但是二维半导体材料通常会具有裂隙，进而使二维半导体材料无法整体大面积发光，发光效率低。

发明内容

本发明是基于发明人对以下事实和问题的发现和认识做出的：

二维半导体材料由于没有成熟的制备技术，制备出的单层或少层二维半导体层的二维半导体材料通常会具有裂隙。在相关技术中，二维半导体发光装置通过电极向二维半导体材料施加交变电压，进而使二维半导体材料发光，但是二维半导体材料具有裂隙使二维半导体层不连续，进而使不同的二维半导体材料之间无法通过电连接连通，因此无法实现二维半导体层整体大面积发光，发光效率低。

本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。

为此，本发明的实施例提出一种二维半导体电致发光装置，该二维半导体电致发光装置具有发光效率高的优点。

本发明的实施例还提出一种二维半导体电致发光装置的制备方法，该制备方法制备的二维半导体电致发光装置具有发光效率高的优点。

本发明实施例的二维半导体电致发光装置包括：衬底，所述衬底包括第一主表面，所述第一主表面位于所述衬底的厚度方向上的一侧；电极层，所述电极层设在所述第一主表面上，所述电极层包括多个第一电极体和多个第二电极体，多个所述第一电极体沿所述衬底的横向间隔布置，多个所述第二电极体沿所述衬底的横向间隔布置，多个所述第一电极体和多个所述第二电极体沿所述衬底的横向交错布置，相邻的所述第一电极体和所述第二电极体在所述衬底的横向上间隔开，所述第一电极体和所述第二电极体的极性相反；二维半导体层，所述二维半导体层设在所述电极层在所述衬底的厚度方向上远离所述衬底的一侧；和介电层，所述介电层的至少部分在所述衬底的厚度方向上位于所述二维半导体层和所述电极层之间，以隔开所述电极层和所述二维半导体层。

本发明实施例的二维半导体电致发光装置通过向第一电极体和第二电极体施加交变电压使多个第一电极体和多个第二电极体之间形成电场，二维半导体层内二维半导体材料被电场激发进而使二维半导体材料发光，进而使二维半导体层与电极层对应的区域内的二维半导体材料实现整体大面积发光，提高了发光效率。

由此，本发明实施例的二维半导体电致发光装置具有发光效率高的优点。

在一些实施例中，所述第一电极体中的每一者的长度方向与所述衬底的纵向一致，所述第二电极体中的每一者的长度方向与所述衬底的纵向一致。

在一些实施例中，所述二维半导体电致发光装置还包括第一连接部和第二连接部，所述第一连接部和所述第二连接部在所述衬底的纵向上相对设置，所述第一连接部与所述多个第一电极体中的每一者相连，所述第二连接部与所述多个第二连接部中的每一者相连。

在一些实施例中，相邻的所述第一电极体和所述第二电极体在所述衬底的横向上间隔第一预设距离，所述第一预设距离大于等于100nm且小于等于1000nm。