[发明专利]一种芯片良率的监测方法及装置、电子设备、存储介质

说明书

本发明实施例公开一种芯片良率的监测方法及装置、电子设备、存储介质，涉及半导体加工技术领域，能够有效提高芯片良率监测的准确率和时效性。所述方法包括：根据芯片在预设测试中的测试结果，分别确定各监测对象的良率信息，其中，所述良率信息包括芯片良率和/或良率损失，每个所述监测对象包括以下任一种：同一批次的芯片、同一晶圆上的芯片、同一晶圆上同一预设区域内的芯片；根据所述良率信息，将各所述监测对象划分为至少两个对象集合；从所述至少两个对象集合中查找目标集合，以根据所述目标集合中各监测对象对应的工艺信息调整芯片工艺，其中，所述目标集合携带所述良率信息波动的预警信息。本发明可用于半导体加工的良率控制。

技术领域

本发明涉及半导体加工技术领域，尤其涉及一种芯片良率的监测方法及装置、电子设备、存储介质。

背景技术

在半导体加工技术中，芯片的生产工艺是十分复杂的，整个流片过程涉及到光刻、刻蚀、材料沉积以及离子注入等数十种甚至更多的步骤，每个步骤都可能引入制造缺陷或者引起电阻电容等工艺特性参数波动，因此，制造完成后，晶圆(Wafer)上可能会存在部分不合规的晶粒(die)，需要通过CP(Chip Probe，芯片探针)测试对晶粒进行筛选，合格品占总数的比例就是芯片良率。

芯片良率在在整个半导体制造过程中具有相当重要的地位，芯片良率的高低代表工艺制造厂制程的稳定性。实际生产中不同批次、不同wafer、甚至同一wafer的不同区域都可能存在工艺波动，使得某些芯片良率低于正常水准。此外由于探针磨损、接触不良以及机台异常等测试问题也会带来额外的良率损失。

为了及时发现这些良率问题，以减少严重的良率损失，相关技术中，CP测试完成后，良率工程师通常采用专用软件从测试日志中提取测试数据然后使用EXCEL、JMP等数据分析软件分析良率数据。由于大批量流片中会产生海量良率数据，为了能够从海量数据中发现异常良率，良率工程师一般通过使用数据分析软件绘制晶圆图(wafer map)等方式进行分析。但这通常需要良率工程师结合实际情况以及经验进行判断，不仅可能存在漏判、误判等情况，还会使良率分析不够及时，降低时效性。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供一种芯片良率的监测方法及装置、电子设备、存储介质，能够有效提高芯片良率监测的准确率和时效性。

第一方面，本发明实施例提供一种芯片良率的监测方法，所述方法包括：根据芯片在预设测试中的测试结果，分别确定各监测对象的良率信息，其中，所述良率信息包括芯片良率和/或良率损失，每个所述监测对象包括以下任一种：同一批次的芯片、同一晶圆上的芯片、同一晶圆上同一预设区域内的芯片；根据所述良率信息，将各所述监测对象划分为至少两个对象集合；从所述至少两个对象集合中查找目标集合，以根据所述目标集合中各监测对象对应的工艺信息调整芯片工艺，其中，所述目标集合携带所述良率信息波动的预警信息。

可选的，所述根据芯片在预设测试中的测试结果，分别确定各监测对象的良率信息包括：从测试日志中获取每个所述监测对象内、落入各失效类别的失效芯片的数量，所述数量包括各失效类别中的失效芯片的总失效数量和/或每个失效类别中的失效芯片的每类失效数量；根据每个所述监测对象内、落入各失效类别的所述失效芯片的数量以及所述监测对象内的芯片总数，分别确定各所述监测对象的良率信息，得到第一良率信息，其中，所述第一良率信息包括所述总失效数量对应的良率和/或所述每类失效数量对应的每类良率损失。