[发明专利]非易失性存储器及其数据擦除方法

权利要求书

1.一种非易失性存储器的数据擦除方法，其特征在于，所述存储器包括多个存储单元串，每个所述存储单元串包括串接的选择栅晶体管和存储单元，所述方法包括：

向待进行擦除操作的存储单元串施加台阶擦除电压，所述台阶擦除电压具有台阶状上升的电压波形；以及

在所述台阶擦除电压从其中间电平升高至其峰值电平期间，将所述选择栅晶体管的电压从其起始电平升高至其预定峰值电平，并将预定区域的电压从其起始电平升高至其预定峰值电平，从而在所述存储单元串中生成栅极感应漏极泄漏电流，

其中，所述预定区域邻近所述选择栅晶体管，并包括至少一个所述存储单元。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述选择栅晶体管包括连接位线的顶层选择栅晶体管和连接衬底中阱掺杂区的底层选择栅晶体管；以及

所述预定区域至少包括第一预定区域和第二预定区域，其中所述第一预定区域邻近所述底层栅选择栅晶体管，并包括至少一个所述存储单元，以及所述第二预定区域邻近所述顶层选择栅晶体管，并包括至少一个所述存储单元。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，将所述选择栅晶体管的电压从其起始电平升高至其预定峰值电平，并将预定区域的电压从其起始电平升高至其预定峰值电平包括：

在将所述选择栅晶体管的电压从其起始电平升高至其峰值电平期间，将所述存储单元串的预定区域的电压从其起始电平升高至其峰值电平。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，将所述选择栅晶体管的电压从其起始电平升高至其预定峰值电平，并将预定区域的电压从其起始电平升高至其预定峰值电平包括：

在将所述选择栅晶体管的电压从其起始电平升高至其峰值电平的同时，将所述存储单元串的预定区域的电压从其起始电平升高至其峰值电平，且所述选择栅晶体管的峰值电平等于所述预定区域的峰值电平。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，将所述选择栅晶体管的电压从其起始电平升高至其预定峰值电平，并将预定区域的电压从其起始电平升高至其预定峰值电平包括：

在所述选择栅晶体管的电压从其起始电平升高之后，将所述存储单元串的预定区域的电压从其起始电平升高。

6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，

所述存储单元包括真存储单元和伪存储单元，所述第一预定区域邻近所述底层栅选择栅晶体管，并包括至少一个所述伪存储单元。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述伪存储单元包括位于所述底层选择栅晶体管与所述阱掺杂区之间的第一伪存储单元，所述第一预定区域与所述衬底之间间隔至少一个所述第一伪存储单元。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

将用于间隔的至少一个所述第一伪存储单元在所述擦除操作期间设置为浮置状态。

9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

向用于间隔的至少一个所述第一伪存储单元施加所述台阶擦除电压。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述存储单元包括真存储单元和伪存储单元，所述伪存储单元包括邻近所述选择栅晶体管的选择层级伪存储单元，所述方法还包括：

在所述台阶擦除电压从其中间电平升高至其峰值电平期间，将所述选择层级伪存储单元的电压从其起始电平升高至其峰值电平。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在将所述选择栅晶体管的电压从其起始电平升高至其预定峰值电平期间，将所述选择层级伪存储单元的电压从其起始电平升高至其峰值电平。